Последние выпуски
- 2026, Том 54 Выпуск 1
- 2025, Том 53 Выпуск 6
- 2025, Том 53 Выпуск 5
- 2025, Том 53 Выпуск 4
Колодезный
Место работы
Университет ИТМО
Санкт-Петербург, Россия
Thermal analysis of phosphor containing silicone layer in high power LEDs
- Год: 2014
- Том: 21
- Выпуск: 3
- 3
- 2435
- Страницы: 283-287
Сравнение характеристик диодов Шоттки на основе β-Ga2O3 и других широкозонных полупроводниковых материалов
- Год: 2015
- Том: 24
- Выпуск: 2
- 33
- 2932
- Страницы: 194-200
Molecular beam epitaxy grown strained heterostructures for active region of laser diode with emission wavelength 1520−1580 nm
- Год: 2015
- Том: 24
- Выпуск: 3
- 6
- 2214
- Страницы: 284-288
Influence of absorber characteristics on operation regimes of passive mode locked lasers based on InGaAlAs/InGaAs/InP heterostructures
- Год: 2016
- Том: 29
- Выпуск: 1
- 3
- 2341
- Страницы: 71-75
The structural properties of elastically strained InGaAlAs/InGaAs/InP heterostructures grown by molecular beam epitaxy
- Год: 2016
- Том: 29
- Выпуск: 1
- 8
- 2293
- Страницы: 76-81
Study of antireflection coatings for high speed 1.3 -1.55 µm InGaAs/InP PIN photodetector
- Год: 2017
- Том: 32
- Выпуск: 2
- 22
- 2789
- Страницы: 194-197