МФМ

Механика и физика материалов Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого

Издается с 2000

ISSN 1605-8119

Автор Е.С. Колодезный

Подать статью

Последние выпуски

Е.С. Колодезный

Место работы

Университет ИТМО
Санкт-Петербург, Россия

Thermal analysis of phosphor containing silicone layer in high power LEDs

Е.С. Колодезный И.Н. Ивукин В.С. Серебрякова В.Е. Бугров А. Е. Романов

Год: 2014
Том: 21
Выпуск: 3

2
1331
Страницы: 283-287

Сравнение характеристик диодов Шоттки на основе β-Ga2O3 и других широкозонных полупроводниковых материалов

М.А. Рожков Е.С. Колодезный А.М. Смирнов В.Е. Бугров А. Е. Романов

Год: 2015
Том: 24
Выпуск: 2

27
1692
Страницы: 194-200

Molecular beam epitaxy grown strained heterostructures for active region of laser diode with emission wavelength 1520-1580 nm

A.V. Babichev A.S. Kurochkin Е.С. Колодезный A.G. Gladyshev I.I. Novikov L.Ya. Karachinsky A.Yu. Egorov

Год: 2015
Том: 24
Выпуск: 3

5
1178
Страницы: 284-288

Influence of absorber characteristics on operation regimes of passive mode locked lasers based on InGaAlAs/InGaAs/InP heterostructures

I.S. Polukhin G.A. Mikhailovskiy D.A. Rybalko Yu.V. Solov'ev E.P. Petukhov М.А. Одноблюдов Е.С. Колодезный A.K. Mikhailov В.Е. Бугров H. Lipsanen

Год: 2016
Том: 29
Выпуск: 1

2
1268
Страницы: 71-75

The structural properties of elastically strained InGaAlAs/InGaAs/InP heterostructures grown by molecular beam epitaxy

I.I. Novikov A.V. Babichev Е.С. Колодезный A.S. Kurochkin A.G. Gladyshev L.Ya. Karachinsky V.N. Nevedomsky S.A. Blokhin A.A. Blokhin A.M. Nadtochiy A.Yu. Egorov

Год: 2016
Том: 29
Выпуск: 1

7
1235
Страницы: 76-81

Study of antireflection coatings for high speed 1.3 -1.55 µm InGaAs/InP PIN photodetector

Е.С. Колодезный I.I. Novikov A.G. Gladyshev S.S. Rochas K.D. Sharipo L.Ya. Karachinsky A.Yu. Egorov В.Е. Бугров

Год: 2017
Том: 32
Выпуск: 2

18
1581
Страницы: 194-197

Сообщить автору об опечатке:

Адрес страницы с ошибкой:

Текст с ошибкой:

Ваш комментарий или корректная версия: