Последние выпуски
- 2025, Том 53 Выпуск 4
- 2025, Том 53 Выпуск 3
- 2025, Том 53 Выпуск 2
- 2025, Том 53 Выпуск 1
Колодезный
Место работы
Университет ИТМО
Санкт-Петербург, Россия
Thermal analysis of phosphor containing silicone layer in high power LEDs
- Год: 2014
- Том: 21
- Выпуск: 3
- 3
- 2018
- Страницы: 283-287
Сравнение характеристик диодов Шоттки на основе β-Ga2O3 и других широкозонных полупроводниковых материалов
- Год: 2015
- Том: 24
- Выпуск: 2
- 32
- 2480
- Страницы: 194-200
Molecular beam epitaxy grown strained heterostructures for active region of laser diode with emission wavelength 1520−1580 nm
- Год: 2015
- Том: 24
- Выпуск: 3
- 6
- 1799
- Страницы: 284-288
Influence of absorber characteristics on operation regimes of passive mode locked lasers based on InGaAlAs/InGaAs/InP heterostructures
- Год: 2016
- Том: 29
- Выпуск: 1
- 3
- 1951
- Страницы: 71-75
The structural properties of elastically strained InGaAlAs/InGaAs/InP heterostructures grown by molecular beam epitaxy
- Год: 2016
- Том: 29
- Выпуск: 1
- 8
- 1887
- Страницы: 76-81
Study of antireflection coatings for high speed 1.3 -1.55 µm InGaAs/InP PIN photodetector
- Год: 2017
- Том: 32
- Выпуск: 2
- 21
- 2325
- Страницы: 194-197