Последние выпуски
- 2025, Том 53 Выпуск 4
- 2025, Том 53 Выпуск 3
- 2025, Том 53 Выпуск 2
- 2025, Том 53 Выпуск 1
Lipsanen
Место работы
Aalto University
Aalto, Finland
Critical thickness and bow of pseudomorphic InxGa1-xAs-based laser heterostructures grown on (001)GaAs and (001)InP substrates
- Год: 2015
- Том: 24
- Выпуск: 3
- 9
- 2033
- Страницы: 278-283
Influence of absorber characteristics on operation regimes of passive mode locked lasers based on InGaAlAs/InGaAs/InP heterostructures
- Год: 2016
- Том: 29
- Выпуск: 1
- 3
- 1953
- Страницы: 71-75
On cracking in thick GaN layers grown on sapphire substrates
- Год: 2020
- Том: 44
- Выпуск: 1
- 27
- 2560
- Страницы: 1-7