А.В. Кремлева
  • Место работы
    Университет ИТМО
  • Санкт-Петербург, Россия

Defects in thin epitaxial layers of (AlхGa1-х)2O3 grown on Al2O3 substrates

  • Год: 2017
  • Том: 32
  • Выпуск: 2
  • 8
  • 704
  • Страницы: 178-185

Structural characterization of bulk (AlXGa1-X)2O3 crystals grown by the ózochralski method

  • Год: 2019
  • Том: 42
  • Выпуск: 6
  • 8
  • 910
  • Страницы: 797-801

Czochralski grown (AlxGa1-x)2O3 crystals with variable Al content

  • Год: 2019
  • Том: 42
  • Выпуск: 6
  • 19
  • 875
  • Страницы: 802-807

On cracking in thick GaN layers grown on sapphire substrates

  • Год: 2020
  • Том: 44
  • Выпуск: 1
  • 16
  • 797
  • Страницы: 1-7

Growth of thick gallium oxide on the various substrates by halide vapor phase epitaxy

  • Год: 2020
  • Том: 44
  • Выпуск: 2
  • 38
  • 1002
  • Страницы: 164-171