Статьи по ключевому слову "silicon carbide; epitaxial films SiC on Si; epitaxy; gallium nitride films; aluminum nitride films; thin films growth; porous silicon substrate"

Growth of SiC films by the method of substitution of atoms on porous Si (100) and (111) substrates

  • Год: 2018
  • Том: 36
  • Выпуск: 1
  • 23
  • 865
  • Страницы: 39-52