Светоизлучающие р-n структуры, выращенные хлорид-гидридной эпитаксией на структурированных подложках GaN/Al2O3

Авторы:
К.Д. Мынбаев С.И. Степанов М.А. Одноблюдов В.И Николаев А. Е. Романов М.Г. Мынбаева А.И. Печников Ш.Ш. Шарофидинов В.Е. Бугров
Аннотация:

Показана возможность использования подложек GaN/Al2O3 с внутренними полостями, сформированных газофазной эпитаксией с использованием металлорганических соединений (ГФЭ МОС), для выращивания методом хлорид. гидридной эпитаксии (ХГЭ) светоизлучающих структур на основе р-n переходов. В рамках работы выполнена всесторонняя характеризация выращенных эпитаксиальных слоев ХГЭ n- и p-типа проводимости и сформировавшихся электронно-дырочных переходов. Полученные результаты демонстрируют возможности метода ХГЭ в части создания элементов приборных структур на основе GaN.