МФМ
Механика и физика материалов Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
Издается с 2000
ISSN 1605-8119
ru Русский
Версия для слабовидящих
Автор Redkov
Подать статью
Последние выпуски
Redkov
Redkov
Место работы
Institute of Problems of Mechanical Engineering of Russian Academy of Sciences
St.Petersburg, Russia

Evolution of crystal morphology under flow of low-energy particles: vacancy mechanism

A.V. Redkov А.В. Осипов Кукушкин С.А.
  • Год: 2016
  • Том: 29
  • Выпуск: 1
  • 4
  • 2152
  • Страницы: 82-92

Nucleation and growth mechanisms of CdTe thin films on silicon substrates with silicon carbide buffer layers

A.A. Koryakin Кукушкин С.А. A.V. Redkov
  • Год: 2017
  • Том: 32
  • Выпуск: 3
  • 3
  • 2138
  • Страницы: 262-271

Growth of SiC films by the method of substitution of atoms on porous Si (100) and (111) substrates

V.V. Kidalov Кукушкин С.А. А.В. Осипов A.V. Redkov А.С. Гращенко I.P. Soshnikov M.E. Boiko M.D. Sharkov A.F. Dyadenchuk
  • Год: 2018
  • Том: 36
  • Выпуск: 1
  • 48
  • 2962
  • Страницы: 39-52

Polycrystalline films of phosphors Cd (1-x-y-z) (CuyAgz) ZnxS on the silicon substrate with the silicon carbide buffer layer: structure and properties

N.M. Sergeeva S.P. Bogdanov A.V. Redkov
  • Год: 2019
  • Том: 42
  • Выпуск: 4
  • 7
  • 2251
  • Страницы: 396-406