Найти
МФМ
Механика и физика материалов
Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
Издается с 2000
ISSN 1605-8119
Русский
Английский
Версия для слабовидящих
О журнале
Меню
О журнале
Редакционная коллегия
Показатели
Авторам
Меню
Название статьи
Аннотация к статье
Ключевые слова
Содержание и структура статьи
Технические требования
Список литературы
Подача и рассмотрение статьи
Рецензирование
Работа с электронной редакцией
Рецензентам
Меню
Порядок рецензирования
Работа с электронной редакцией
Этика научных публикаций
Архив выпусков
Новости
Вопрос-ответ
Контакты
Автор
A.V. Zubkova
Подать статью
Последние выпуски
2024
,
Том 52
Выпуск 3
2024
,
Том 52
Выпуск 2
2024
,
Том 52
Выпуск 1
2023
,
Том 51
Выпуск 7
A.V. Zubkova
Место работы
St. Petersburg State V.I. Ul’yanov (Lenin) Electrical Engineering University
St.Petersburg, Russia
The mechanism of formation of structural V-defects in polar and semipolar epitaxial GaN films synthesized on SiC/Si(111) and SiC/Si(100) heterostructures
V.N. Bessolov
E.V. Konenkova
A.V. Zubkova
А.В. Осипов
Орлова Т.С.
S.N. Rodin
С.А. Кукушкин
Год: 2014
Том: 21
Выпуск: 3
8
1242
Страницы: 266-274