МФМ
Механика и физика материалов Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
Издается с 2000
ISSN 1605-8119
ru Русский
  • en Английский
Версия для слабовидящих
  • О журнале
    • Меню
    • О журнале
    • Редакционная коллегия
    • Показатели
  • Авторам
    • Меню
    • Название статьи
    • Аннотация к статье
    • Ключевые слова
    • Содержание и структура статьи
    • Технические требования
    • Список литературы
    • Подача и рассмотрение статьи
    • Рецензирование
    • Работа с электронной редакцией
  • Рецензентам
    • Меню
    • Порядок рецензирования
    • Работа с электронной редакцией
  • Этика научных публикаций
  • Политика использования ИИ
  • Архив выпусков
  • Новости
  • Контакты
Автор Zubkova
Подать статью
Последние выпуски
  • 2025, Том 53 Выпуск 4
  • 2025, Том 53 Выпуск 3
  • 2025, Том 53 Выпуск 2
  • 2025, Том 53 Выпуск 1
Zubkova
Zubkova
Место работы
St. Petersburg State V.I. Ul’yanov (Lenin) Electrical Engineering University
St.Petersburg, Russia

The mechanism of formation of structural V-defects in polar and semipolar epitaxial GaN films synthesized on SiC/Si (111) and SiC/Si (100) heterostructures

V.N. Bessolov E.V. Konenkova A.V. Zubkova А.В. Осипов Орлова Т.С. S.N. Rodin Кукушкин С.А.
  • Год: 2014
  • Том: 21
  • Выпуск: 3
  • 9
  • 2153
  • Страницы: 266-274
Механика и физика материалов
Персональные данные распространяются с согласия субъектов персональных данных
Адрес
Политехническая ул. 29
Контакты
decodeDefault
Политика обработки «cookie» Политика конфиденциальности
🍪
Мы используем cookies и рекомендательные технологии для улучшения работы сайта. Продолжая использовать этот сайт, Вы соглашаетесь на использование файлов cookie .