МФМ
Механика и физика материалов Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
Издается с 2000
ISSN 1605-8119
ru Русский
  • en Английский
Версия для слабовидящих
  • О журнале
    • Меню
    • О журнале
    • Редакционная коллегия
    • Показатели
  • Авторам
    • Меню
    • Название статьи
    • Аннотация к статье
    • Ключевые слова
    • Содержание и структура статьи
    • Технические требования
    • Список литературы
    • Подача и рассмотрение статьи
    • Рецензирование
    • Работа с электронной редакцией
  • Рецензентам
    • Меню
    • Порядок рецензирования
    • Работа с электронной редакцией
  • Этика научных публикаций
  • Архив выпусков
  • Новости
  • Вопрос-ответ
  • Контакты
Автор E.V. Konenkova
Подать статью
Последние выпуски
  • 2023, Том 51 Выпуск 1
  • 2022, Том 50 Выпуск 3
  • 2022, Том 50 Выпуск 2
  • 2022, Том 50 Выпуск 1
E.V. Konenkova
  • Место работы
    Ioffe Institute
  • St.Petersburg, Russia

Semipolar GaN on Si(001): the role of SiC buffer layer synthesized by method of substrate atom substitution

V.N. Bessolov E.V. Konenkova С.А. Кукушкин A.V. Myasoedov S.N. Rodin А.В. Осипов M.P. Shcheglov
  • Год: 2014
  • Том: 21
  • Выпуск: 1
  • 4
  • 606
  • Страницы: 71-77

The mechanism of formation of structural V-defects in polar and semipolar epitaxial GaN films synthesized on SiC/Si(111) and SiC/Si(100) heterostructures

V.N. Bessolov E.V. Konenkova A.V. Zubkova А.В. Осипов Орлова Т.С. S.N. Rodin С.А. Кукушкин
  • Год: 2014
  • Том: 21
  • Выпуск: 3
  • 8
  • 724
  • Страницы: 266-274
Механика и физика материалов

Разработка сайта: ОПИТ Медиа-центра СПбПУ

Политика конфиденциальности

Контакты
  • Политехническая ул. 29
  • decodeText
  • decodeText
  • decodeDefault