Последние выпуски
- 2026,Том 54Выпуск 2
- 2026,Том 54Выпуск 1
- 2025,Том 53Выпуск 6
- 2025,Том 53Выпуск 5
Zubkova
Место работы
St. Petersburg State V.I. Ul’yanov (Lenin) Electrical Engineering University
St.Petersburg, Russia
The mechanism of formation of structural V-defects in polar and semipolar epitaxial GaN films synthesized on SiC/Si (111) and SiC/Si (100) heterostructures
- Год: 2014
- Том: 21
- Выпуск: 3
- 9
- 2775
- Страницы: 266-274