A.V. Zubkova
  • Место работы
    St. Petersburg State V.I. Ul’yanov (Lenin) Electrical Engineering University
  • St.Petersburg, Russia

The mechanism of formation of structural V-defects in polar and semipolar epitaxial GaN films synthesized on SiC/Si(111) and SiC/Si(100) heterostructures

  • Год: 2014
  • Том: 21
  • Выпуск: 3
  • 2
  • 230
  • Страницы: 266-274