МФМ
    Механика и физика материаловСанкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
    Издается с 2000
    ISSN 1605-8119
    ruРусский
    Версия для слабовидящих
    АвторS.N. Rodin
    Подать статью
    Последние выпуски
    S.N. Rodin
    S.N. Rodin
    Место работы
    Ioffe Institute
    St.Petersburg, Russia

    Semipolar GaN on Si (001): the role of SiC buffer layer synthesized by method of substrate atom substitution

    V.N. BessolovE.V. KonenkovaКукушкин С.А.A.V. MyasoedovS.N. RodinА.В. ОсиповM.P. Shcheglov
    • Год: 2014
    • Том: 21
    • Выпуск: 1
    • 7
    • 2492
    • Страницы: 71-77

    The mechanism of formation of structural V-defects in polar and semipolar epitaxial GaN films synthesized on SiC/Si (111) and SiC/Si (100) heterostructures

    V.N. BessolovE.V. KonenkovaA.V. ZubkovaА.В. ОсиповОрлова Т.С. S.N. RodinКукушкин С.А.
    • Год: 2014
    • Том: 21
    • Выпуск: 3
    • 9
    • 2775
    • Страницы: 266-274