Последние выпуски
- 2026,Том 54Выпуск 2
- 2026,Том 54Выпуск 1
- 2025,Том 53Выпуск 6
- 2025,Том 53Выпуск 5
Bessolov
Место работы
ioffe Institute
St.Petersburg, Russia
Heteroepitaxy of Gallium Nitride Layers: the Role of Initial Stages in Film Formation
- Год: 2003
- Том: 6
- Выпуск: 1
- 7
- 2477
- Страницы: 1-12
Semipolar GaN on Si (001): the role of SiC buffer layer synthesized by method of substrate atom substitution
- Год: 2014
- Том: 21
- Выпуск: 1
- 7
- 2492
- Страницы: 71-77
The mechanism of formation of structural V-defects in polar and semipolar epitaxial GaN films synthesized on SiC/Si (111) and SiC/Si (100) heterostructures
- Год: 2014
- Том: 21
- Выпуск: 3
- 9
- 2775
- Страницы: 266-274