Последние выпуски
- 2026,Том 54Выпуск 2
- 2026,Том 54Выпуск 1
- 2025,Том 53Выпуск 6
- 2025,Том 53Выпуск 5
Myasoedov
Место работы
Ioffe Institute
St.Petersburg, Russia
Semipolar GaN on Si (001): the role of SiC buffer layer synthesized by method of substrate atom substitution
- Год: 2014
- Том: 21
- Выпуск: 1
- 7
- 2492
- Страницы: 71-77