Последние выпуски
- 2026,Том 54Выпуск 4
- 2026,Том 54Выпуск 3
- 2026,Том 54Выпуск 2
- 2026,Том 54Выпуск 1
Shcheglov
Место работы
Ioffe Institute
St.Petersburg, Russia
Semipolar GaN on Si (001): the role of SiC buffer layer synthesized by method of substrate atom substitution
- Год: 2014
- Том: 21
- Выпуск: 1
- 7
- 3041
- Страницы: 71-77