А.В. Кремлева
  • Место работы
    Университет ИТМО
  • Санкт-Петербург, Россия

Defects in thin epitaxial layers of (AlхGa1-х)2O3 grown on Al2O3 substrates

  • Год: 2017
  • Том: 32
  • Выпуск: 2
  • 8
  • 1363
  • Страницы: 178-185

Structural characterization of bulk (AlXGa1-X)2O3 crystals grown by the ózochralski method

  • Год: 2019
  • Том: 42
  • Выпуск: 6
  • 11
  • 1663
  • Страницы: 797-801

Czochralski grown (AlxGa1-x)2O3 crystals with variable Al content

  • Год: 2019
  • Том: 42
  • Выпуск: 6
  • 34
  • 1651
  • Страницы: 802-807

On cracking in thick GaN layers grown on sapphire substrates

  • Год: 2020
  • Том: 44
  • Выпуск: 1
  • 24
  • 1505
  • Страницы: 1-7

Growth of thick gallium oxide on the various substrates by halide vapor phase epitaxy

  • Год: 2020
  • Том: 44
  • Выпуск: 2
  • 59
  • 1831
  • Страницы: 164-171

The effect of ZnO cupping layer on the formation of sol-gel synthesized Ag nanoparticles

  • Год: 2023
  • Том: 51
  • Выпуск: 4
  • 33
  • 620
  • Страницы: 76-84