Кремлева
Кремлева
Место работы
Университет ИТМО
Санкт-Петербург, Россия

Defects in thin epitaxial layers of (AlхGa1-х)2O3 grown on Al2O3 substrates

  • Год: 2017
  • Том: 32
  • Выпуск: 2
  • 9
  • 2376
  • Страницы: 178-185

Structural characterization of bulk (AlXGa1-X)2O3 crystals grown by the ózochralski method

  • Год: 2019
  • Том: 42
  • Выпуск: 6
  • 12
  • 2650
  • Страницы: 797-801

Czochralski grown (AlxGa1-x)2O3 crystals with variable Al content

  • Год: 2019
  • Том: 42
  • Выпуск: 6
  • 36
  • 2710
  • Страницы: 802-807

On cracking in thick GaN layers grown on sapphire substrates

  • Год: 2020
  • Том: 44
  • Выпуск: 1
  • 27
  • 2560
  • Страницы: 1-7

Growth of thick gallium oxide on the various substrates by halide vapor phase epitaxy

  • Год: 2020
  • Том: 44
  • Выпуск: 2
  • 64
  • 2911
  • Страницы: 164-171

The effect of ZnO cupping layer on the formation of sol-gel synthesized Ag nanoparticles

  • Год: 2023
  • Том: 51
  • Выпуск: 4
  • 42
  • 1680
  • Страницы: 76-84