МФМ
Механика и физика материалов Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
Издается с 2000
ISSN 1605-8119
ru Русский
Версия для слабовидящих
Автор V.N. Bessolov
Подать статью
Последние выпуски
V.N. Bessolov
  • Место работы
    ioffe Institute
  • St.Petersburg, Russia

Heteroepitaxy of Gallium Nitride Layers: the Role of Initial Stages in Film Formation

V.N. Bessolov С.А. Кукушкин А.В. Осипов A.V. Luk'yanov
  • Год: 2003
  • Том: 6
  • Выпуск: 1
  • 6
  • 1093
  • Страницы: 1-12

Semipolar GaN on Si(001): the role of SiC buffer layer synthesized by method of substrate atom substitution

V.N. Bessolov E.V. Konenkova С.А. Кукушкин A.V. Myasoedov S.N. Rodin А.В. Осипов M.P. Shcheglov
  • Год: 2014
  • Том: 21
  • Выпуск: 1
  • 4
  • 1051
  • Страницы: 71-77

The mechanism of formation of structural V-defects in polar and semipolar epitaxial GaN films synthesized on SiC/Si(111) and SiC/Si(100) heterostructures

V.N. Bessolov E.V. Konenkova A.V. Zubkova А.В. Осипов Орлова Т.С. S.N. Rodin С.А. Кукушкин
  • Год: 2014
  • Том: 21
  • Выпуск: 3
  • 8
  • 1234
  • Страницы: 266-274