МФМ
Механика и физика материалов Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
Издается с 2000
ISSN 1605-8119
ru Русский
Версия для слабовидящих
Автор Bessolov
Подать статью
Последние выпуски
Bessolov
Bessolov
Место работы
ioffe Institute
St.Petersburg, Russia

Heteroepitaxy of Gallium Nitride Layers: the Role of Initial Stages in Film Formation

V.N. Bessolov Кукушкин С.А. А.В. Осипов A.V. Luk'yanov
  • Год: 2003
  • Том: 6
  • Выпуск: 1
  • 7
  • 1876
  • Страницы: 1-12

Semipolar GaN on Si (001): the role of SiC buffer layer synthesized by method of substrate atom substitution

V.N. Bessolov E.V. Konenkova Кукушкин С.А. A.V. Myasoedov S.N. Rodin А.В. Осипов M.P. Shcheglov
  • Год: 2014
  • Том: 21
  • Выпуск: 1
  • 6
  • 1887
  • Страницы: 71-77

The mechanism of formation of structural V-defects in polar and semipolar epitaxial GaN films synthesized on SiC/Si (111) and SiC/Si (100) heterostructures

V.N. Bessolov E.V. Konenkova A.V. Zubkova А.В. Осипов Орлова Т.С. S.N. Rodin Кукушкин С.А.
  • Год: 2014
  • Том: 21
  • Выпуск: 3
  • 9
  • 2151
  • Страницы: 266-274