Найти
МФМ
Механика и физика материалов
Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
Издается с 2000
ISSN 1605-8119
Русский
Английский
Версия для слабовидящих
О журнале
Меню
О журнале
Редакционная коллегия
Показатели
Авторам
Меню
Название статьи
Аннотация к статье
Ключевые слова
Содержание и структура статьи
Технические требования
Список литературы
Подача и рассмотрение статьи
Рецензирование
Работа с электронной редакцией
Рецензентам
Меню
Порядок рецензирования
Работа с электронной редакцией
Этика научных публикаций
Архив выпусков
Новости
Вопрос-ответ
Контакты
Автор
S.N. Rodin
Подать статью
Последние выпуски
2024
,
Том 52
Выпуск 3
2024
,
Том 52
Выпуск 2
2024
,
Том 52
Выпуск 1
2023
,
Том 51
Выпуск 7
S.N. Rodin
Место работы
Ioffe Institute
St.Petersburg, Russia
Semipolar GaN on Si(001): the role of SiC buffer layer synthesized by method of substrate atom substitution
V.N. Bessolov
E.V. Konenkova
С.А. Кукушкин
A.V. Myasoedov
S.N. Rodin
А.В. Осипов
M.P. Shcheglov
Год: 2014
Том: 21
Выпуск: 1
4
1051
Страницы: 71-77
The mechanism of formation of structural V-defects in polar and semipolar epitaxial GaN films synthesized on SiC/Si(111) and SiC/Si(100) heterostructures
V.N. Bessolov
E.V. Konenkova
A.V. Zubkova
А.В. Осипов
Орлова Т.С.
S.N. Rodin
С.А. Кукушкин
Год: 2014
Том: 21
Выпуск: 3
8
1234
Страницы: 266-274