МФМ
Механика и физика материалов Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
Издается с 2000
ISSN 1605-8119
ru Русский
Версия для слабовидящих
Автор Sharkov
Подать статью
Последние выпуски
Sharkov
Sharkov
Место работы
Ioffe Institute
St.Petersburg, Russia

Growth of SiC films by the method of substitution of atoms on porous Si (100) and (111) substrates

V.V. Kidalov Кукушкин С.А. А.В. Осипов A.V. Redkov А.С. Гращенко I.P. Soshnikov M.E. Boiko M.D. Sharkov A.F. Dyadenchuk
  • Год: 2018
  • Том: 36
  • Выпуск: 1
  • 48
  • 2962
  • Страницы: 39-52

The analysis of the etch pits parameters in the (-201) plane of the β-Ga2O3 substrate crystals

Zarichny A.A. P.N. Butenko M.E. Boiko M.D. Sharkov В.И Николаев
  • Год: 2023
  • Том: 51
  • Выпуск: 3
  • 38
  • 1440
  • Страницы: 46-51

Tribological characteristics of bulk (-201) β-Ga2O3 substrate crystals grown by EFG

P.N. Butenko M.E. Boiko А.В. Чикиряка Гузилова Л.И. Pozdnyakov A.O. M.D. Sharkov Алмаев А.В. В.И Николаев
  • Год: 2023
  • Том: 51
  • Выпуск: 6
  • 37
  • 1404
  • Страницы: 135-144

Spalling-induced β-Ga2O3 lift-off protocol

P.N. Butenko А.В. Чикиряка M.E. Boiko Гузилова Л.И. В.М. Крымов Obidov B.A. Р.Б. Тимашов Shapenkov S.V. M.D. Sharkov В.И Николаев
  • Год: 2024
  • Том: 52
  • Выпуск: 5
  • 23
  • 2409
  • Страницы: 55-63