Статьи по ключевому слову "Growth"

Periodic system of fullerenes from the mathematical standpoint

  • Год: 2024
  • Том: 52
  • Выпуск: 6
  • 49
  • 2386
  • Страницы: 126-135

Formation and stability of β-Si3N4 and Si2N2O phases in composite materials during mechanochemical treatment of powder mixtures including silicon, Taunite-M and nitrogen-containing components

  • Год: 2024
  • Том: 52
  • Выпуск: 2
  • 34
  • 1307
  • Страницы: 56-63

Subcritical growth of repolarization nuclei in polycrystalline ferroelectric films

  • Год: 2024
  • Том: 52
  • Выпуск: 1
  • 48
  • 1389
  • Страницы: 18-25

A methodology for estimating the damage growth rates in layered composites using special fatigue accumulation rules

  • Год: 2023
  • Том: 51
  • Выпуск: 2
  • 21
  • 1466
  • Страницы: 81-95

Effect of compression precracking on near threshold region for AlSI 4340 steels considering compliance measurements

  • Год: 2023
  • Том: 51
  • Выпуск: 1
  • 26
  • 1433
  • Страницы: 151-167

Corrosion cracking of low alloy steels. Testing methods

  • Год: 2022
  • Том: 50
  • Выпуск: 3
  • 30
  • 1489
  • Страницы: 459-474

Nucleation and growth of fullerenes and nanotubes having five-fold symmetry

  • Год: 2022
  • Том: 49
  • Выпуск: 1
  • 28
  • 1501
  • Страницы: 51-72

An investigation on the growth of fatigue crack between sequentially cold expanded adjacent circular holes in Al 7075 - T651 alloy

  • Год: 2021
  • Том: 47
  • Выпуск: 3
  • 39
  • 2405
  • Страницы: 475-482

Nucleation and growth of fullerenes and nanotubes having four-fold symmetry

  • Год: 2021
  • Том: 47
  • Выпуск: 2
  • 35
  • 3439
  • Страницы: 315-343

Оценка скорости роста расслоения в квазиизотропных композитах с использованием модели деградации жесткости

  • Год: 2020
  • Том: 46
  • Выпуск: 1
  • 39
  • 2198
  • Страницы: 207-220

Natural isomers of fullerenes from C30 to C40

  • Год: 2020
  • Том: 45
  • Выпуск: 1
  • 20
  • 2327
  • Страницы: 60-78

Natural isomers of fullerenes from C20 to C28

  • Год: 2020
  • Том: 45
  • Выпуск: 1
  • 11
  • 2026
  • Страницы: 49-59

Natural isomers of fullerenes from C4 to C20

  • Год: 2020
  • Том: 45
  • Выпуск: 1
  • 23
  • 2219
  • Страницы: 38-48

Czochralski grown (AlxGa1-x)2O3 crystals with variable Al content

  • Год: 2019
  • Том: 42
  • Выпуск: 6
  • 36
  • 2710
  • Страницы: 802-807

On a configurational force driving surface growth of solids

  • Год: 2019
  • Том: 42
  • Выпуск: 5
  • 16
  • 2296
  • Страницы: 582-595

Evolution of the droplet shape in the vapor-liquid-solid growth of III-V nanowires under varying material fluxes

  • Год: 2019
  • Том: 42
  • Выпуск: 3
  • 8
  • 2038
  • Страницы: 265-271

Nucleation of islands with vertical or truncated corner facets in vapor-liquid-solid nanowires

  • Год: 2019
  • Том: 42
  • Выпуск: 2
  • 4
  • 1945
  • Страницы: 159-164

Formation of ordered ZnO structures grown by the ALD method on hybrid SiC/Si (100) substrates

  • Год: 2019
  • Том: 42
  • Выпуск: 1
  • 11
  • 2485
  • Страницы: 30-39

Tetrahedral mini- and midi-fullerenes

  • Год: 2019
  • Том: 41
  • Выпуск: 1
  • 5
  • 2221
  • Страницы: 52-61

A simplified model explaining the formation of InAs nanowires on GaAs nanomembranes

  • Год: 2018
  • Том: 40
  • Выпуск: 1
  • 5
  • 1957
  • Страницы: 7-11

Growth of SiC films by the method of substitution of atoms on porous Si (100) and (111) substrates

  • Год: 2018
  • Том: 36
  • Выпуск: 1
  • 48
  • 2966
  • Страницы: 39-52

Composition and contact angle of Au-III-V droplets on top of Au-catalyzed III-V nanowires

  • Год: 2018
  • Том: 36
  • Выпуск: 1
  • 9
  • 2019
  • Страницы: 1-7

Unified approach to forming fullerenes and nanotubes

  • Год: 2017
  • Том: 34
  • Выпуск: 1
  • 3
  • 2191
  • Страницы: 1-17

Nucleation and growth mechanisms of CdTe thin films on silicon substrates with silicon carbide buffer layers

  • Год: 2017
  • Том: 32
  • Выпуск: 3
  • 3
  • 2140
  • Страницы: 262-271

Prediction of short fatigue crack propagation on the base of non-local fracture criterion

  • Год: 2017
  • Том: 31
  • Выпуск: 1/2
  • 6
  • 2044
  • Страницы: 44-47

Монокристаллы β-Ga2O3, выращенные из расплава оксидов галлия и алюминия

  • Год: 2014
  • Том: 21
  • Выпуск: 2
  • 25
  • 2075
  • Страницы: 194-199

Surface topology of Fe-Si alloy in the laser radiation exposure

  • Год: 2014
  • Том: 20
  • Выпуск: 1
  • 3
  • 1717
  • Страницы: 56-61

Studies on mechanical and electrical properties of NLO active L-glycine single crystal

  • Год: 2013
  • Том: 16
  • Выпуск: 2
  • 3
  • 1647
  • Страницы: 101-106

Growth, mechanical, dielectric and photoconducting properties of bisglycine hydrobromide NLO single crystal

  • Год: 2012
  • Том: 14
  • Выпуск: 2
  • 3
  • 1643
  • Страницы: 181-185

Optical and transport properties of NLO Meta nitroaniline single crystals

  • Год: 2012
  • Том: 14
  • Выпуск: 2
  • 2
  • 1915
  • Страницы: 152-158

Теории роста зерен и методы его подавления в нанокристаллических и поликристаллических материалах

  • Год: 2009
  • Том: 8
  • Выпуск: 2
  • 23
  • 2150
  • Страницы: 174-199

Finite Size Effects on Surface Excess Quantities and Application to Crystal Growth and Surface Melting of Epitaxial Layers

  • Год: 2003
  • Том: 6
  • Выпуск: 1
  • 3
  • 1588
  • Страницы: 34-42

Calorimetric Measurements of Grain Growth in Ultrafine-Grained Nickel

  • Год: 2002
  • Том: 5
  • Выпуск: 1
  • 2
  • 1791
  • Страницы: 23-30

Cluster Growth in Expanding Copper Vapor

  • Год: 2002
  • Том: 5
  • Выпуск: 1
  • 4
  • 1895
  • Страницы: 1-10

Dynamic Growth of a Spherical Inclusion in Thermoelastic Medium

  • Год: 2001
  • Том: 3
  • Выпуск: 1
  • 2
  • 1846
  • Страницы: 52-56

On the Theory of Island Films Growth from Eutectic Melt at the Late Evolution Stage

  • Год: 2000
  • Том: 1
  • Выпуск: 2
  • 3
  • 2081
  • Страницы: 111-118

A Mathematical Model Of Metal Films Deposition from Photoactive Compound Solutions on Solid-Liquid Interface

  • Год: 2000
  • Том: 1
  • Выпуск: 1
  • 2
  • 2059
  • Страницы: 28-30

Heteroepitaxial Growth of InAs on Si: the New Type of Quantum Dots

  • Год: 2000
  • Том: 1
  • Выпуск: 1
  • 6
  • 1956
  • Страницы: 15-19