МФМ

Механика и физика материалов Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого

Издается с 2000

ISSN 1605-8119

Автор А.И. Печников

Подать статью

Последние выпуски

А.И. Печников

Место работы

ФТИ им. А.Ф.Иоффе
Санкт-Петербург, Россия

Светоизлучающие р-n структуры, выращенные хлорид-гидридной эпитаксией на структурированных подложках GaN/Al2O3

М.Г. Мынбаева А.И. Печников Ш.Ш. Шарофидинов В.Е. Бугров К.Д. Мынбаев С.И. Степанов М.А. Одноблюдов В.И Николаев А. Е. Романов

Год: 2015
Том: 22
Выпуск: 1

2
1439
Страницы: 30-38

GaN growth ON β-Ga2O3 substrates by HVPE

В.И Николаев А.И. Печников В.Н. Маслов А.А. Головатенко В.М. Крымов С.И. Степанов Н.К. Жумашев В.Е. Бугров А. Е. Романов

Год: 2015
Том: 22
Выпуск: 1

13
1505
Страницы: 59-58

Оптические свойства толстых слоев нитрида галлия, выращенных хлорид-гидридной эпитаксией на структурированных подложках

М.Г. Мынбаева А.И. Печников А.Н. Смирнов Д.А. Кириленко С.Ч. Рауфов А.А. Ситникова М.А. Одноблюдов В.Е. Бугров К.Д. Мынбаев В.И Николаев А. Е. Романов

Год: 2016
Том: 29
Выпуск: 1

8
1470
Страницы: 24-31

Исследование эпитаксиальных слоёв и монокристаллов β-Ga2O3 методом наноиндентирования

Л.И. Гузилова А.С. Гращенко А.И. Печников В.Н. Маслов Д.В. Завьялов В.Л. Абдрахманов А. Е. Романов В.И Николаев

Год: 2016
Том: 29
Выпуск: 2

55
2255
Страницы: 166-171

Defects in thin epitaxial layers of (AlхGa1-х)2O3 grown on Al2O3 substrates

А.В. Кремлева Д.А. Кириленко В.И Николаев А.И. Печников С.И. Степанов М.А. Одноблюдов В.Е. Бугров А. Е. Романов

Год: 2017
Том: 32
Выпуск: 2

8
1534
Страницы: 178-185

Wear resistance of α- and β- gallium oxide coatings

P.N. Butenko Л.И. Гузилова А.В. Чикиряка А.И. Печников А.С. Гращенко Pozdnyakov A.O. В.И Николаев

Год: 2021
Том: 47
Выпуск: 1

51
1491
Страницы: 52-58

HVPE growth of corundum-structured α-Ga2O3 on sapphire substrates with α-Cr2O3 buffer layer

С.И. Степанов В.И Николаев Алмаев А.В. А.И. Печников Щеглов М.П. А.В. Чикиряка Кушнарев Б.О. Поляков А.Я.

Год: 2021
Том: 47
Выпуск: 4

91
2075
Страницы: 577-581

Effect of Si+ ion irradiation of α-Ga2O3 epitaxial layers on their hydrogen sensitivity

Yakovlev N.N. Алмаев А.В. P.N. Butenko Mikhaylov A.N. А.И. Печников С.И. Степанов Р.Б. Тимашов А.В. Чикиряка В.И Николаев

Год: 2022
Том: 48
Выпуск: 3

86
1151
Страницы: 301-307

Epitaxial stabilization of α-Ga2O3 layers grown on r-plane sapphire

В.И Николаев Поляков А.Я. С.И. Степанов А.И. Печников Л.И. Гузилова Щеглов М.П. А.В. Чикиряка

Год: 2023
Том: 51
Выпуск: 1

108
1080
Страницы: 1-9

Сообщить автору об опечатке:

Адрес страницы с ошибкой:

Текст с ошибкой:

Ваш комментарий или корректная версия: