Статьи по ключевому слову "Growth"

An investigation on the growth of fatigue crack between sequentially cold expanded adjacent circular holes in Al 7075 - T651 alloy

  • Год: 2021
  • Том: 47
  • Выпуск: 3
  • 22
  • 414
  • Страницы: 475-482

Nucleation and growth of fullerenes and nanotubes having four-fold symmetry

  • Год: 2021
  • Том: 47
  • Выпуск: 2
  • 23
  • 720
  • Страницы: 315-343

Оценка скорости роста расслоения в квазиизотропных композитах с использованием модели деградации жесткости

  • Год: 2020
  • Том: 46
  • Выпуск: 1
  • 25
  • 483
  • Страницы: 207-220

Natural isomers of fullerenes from C30 to C40

  • Год: 2020
  • Том: 45
  • Выпуск: 1
  • 18
  • 508
  • Страницы: 60-78

Natural isomers of fullerenes from C20 to C28

  • Год: 2020
  • Том: 45
  • Выпуск: 1
  • 9
  • 472
  • Страницы: 49-59

Natural isomers of fullerenes from C4 to C20

  • Год: 2020
  • Том: 45
  • Выпуск: 1
  • 10
  • 453
  • Страницы: 38-48

Czochralski grown (AlxGa1-x)2O3 crystals with variable Al content

  • Год: 2019
  • Том: 42
  • Выпуск: 6
  • 16
  • 714
  • Страницы: 802-807

On a configurational force driving surface growth of solids

  • Год: 2019
  • Том: 42
  • Выпуск: 5
  • 4
  • 560
  • Страницы: 582-595

Evolution of the droplet shape in the vapor-liquid-solid growth of III-V nanowires under varying material fluxes

  • Год: 2019
  • Том: 42
  • Выпуск: 3
  • 6
  • 468
  • Страницы: 265-271

Nucleation of islands with vertical or truncated corner facets in vapor-liquid-solid nanowires

  • Год: 2019
  • Том: 42
  • Выпуск: 2
  • 3
  • 484
  • Страницы: 159-164

Formation of ordered ZnO structures grown by the ALD method on hybrid SiC/Si (100) substrates

  • Год: 2019
  • Том: 42
  • Выпуск: 1
  • 2
  • 595
  • Страницы: 30-39

Tetrahedral mini- and midi-fullerenes

  • Год: 2019
  • Том: 41
  • Выпуск: 1
  • 3
  • 543
  • Страницы: 52-61

A simplified model explaining the formation of InAs nanowires on GaAs nanomembranes

  • Год: 2018
  • Том: 40
  • Выпуск: 1
  • 2
  • 445
  • Страницы: 7-11

Growth of SiC films by the method of substitution of atoms on porous Si (100) and (111) substrates

  • Год: 2018
  • Том: 36
  • Выпуск: 1
  • 22
  • 637
  • Страницы: 39-52

Composition and contact angle of Au-III-V droplets on top of Au-catalyzed III-V nanowires

  • Год: 2018
  • Том: 36
  • Выпуск: 1
  • 3
  • 396
  • Страницы: 1-7

Unified approach to forming fullerenes and nanotubes

  • Год: 2017
  • Том: 34
  • Выпуск: 1
  • 2
  • 499
  • Страницы: 1-17

Nucleation and growth mechanisms of CdTe thin films on silicon substrates with silicon carbide buffer layers

  • Год: 2017
  • Том: 32
  • Выпуск: 3
  • 2
  • 462
  • Страницы: 262-271

Prediction of short fatigue crack propagation on the base of non-local fracture criterion

  • Год: 2017
  • Том: 31
  • Выпуск: 1/2
  • 3
  • 443
  • Страницы: 44-47

Монокристаллы β-Ga2O3, выращенные из расплава оксидов галлия и алюминия

  • Год: 2014
  • Том: 21
  • Выпуск: 2
  • 10
  • 508
  • Страницы: 194-199

Surface topology of Fe-Si alloy in the laser radiation exposure

  • Год: 2014
  • Том: 20
  • Выпуск: 1
  • 2
  • 374
  • Страницы: 56-61

Studies on mechanical and electrical properties of NLO active L-glycine single crystal

  • Год: 2013
  • Том: 16
  • Выпуск: 2
  • 1
  • 328
  • Страницы: 101-106

Growth, mechanical, dielectric and photoconducting properties of bisglycine hydrobromide NLO single crystal

  • Год: 2012
  • Том: 14
  • Выпуск: 2
  • 1
  • 320
  • Страницы: 181-185

Optical and transport properties of NLO Meta nitroaniline single crystals

  • Год: 2012
  • Том: 14
  • Выпуск: 2
  • 1
  • 390
  • Страницы: 152-158

Теории роста зерен и методы его подавления в нанокристаллических и поликристаллических материалах

  • Год: 2009
  • Том: 8
  • Выпуск: 2
  • 10
  • 483
  • Страницы: 174-199

Finite Size Effects on Surface Excess Quantities and Application to Crystal Growth and Surface Melting of Epitaxial Layers

  • Год: 2003
  • Том: 6
  • Выпуск: 1
  • 2
  • 328
  • Страницы: 34-42

Calorimetric Measurements of Grain Growth in Ultrafine-Grained Nickel

  • Год: 2002
  • Том: 5
  • Выпуск: 1
  • 1
  • 380
  • Страницы: 23-30

Cluster Growth in Expanding Copper Vapor

  • Год: 2002
  • Том: 5
  • Выпуск: 1
  • 2
  • 402
  • Страницы: 1-10

Dynamic Growth of a Spherical Inclusion in Thermoelastic Medium

  • Год: 2001
  • Том: 3
  • Выпуск: 1
  • 1
  • 379
  • Страницы: 52-56

On the Theory of Island Films Growth from Eutectic Melt at the Late Evolution Stage

  • Год: 2000
  • Том: 1
  • Выпуск: 2
  • 1
  • 472
  • Страницы: 111-118

A Mathematical Model Of Metal Films Deposition from Photoactive Compound Solutions on Solid-Liquid Interface

  • Год: 2000
  • Том: 1
  • Выпуск: 1
  • 1
  • 476
  • Страницы: 28-30

Heteroepitaxial Growth of InAs on Si: the New Type of Quantum Dots

  • Год: 2000
  • Том: 1
  • Выпуск: 1
  • 3
  • 379
  • Страницы: 15-19