МФМ
Механика и физика материалов Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
Издается с 2000
ISSN 1605-8119
ru Русский
Версия для слабовидящих
Подать статью

Статьи по ключевому слову "Silicon carbide"

Magnetism of the hybrid SiC/Si structure grown on silicon surface

Romanov V.V. Rul' N.I. Gasumyants V.E. Venevtsev I.D. K.B. Taranets Korolev A.V. Кукушкин С.А. А.В. Осипов Bagraev N.T.
  • Год: 2025
  • Том: 53
  • Выпуск: 1
  • 58
  • 2564
  • Страницы: 159-164

Field dependences of the magnetization of the hybrid SiC/Si structure grown by the vacancy method of coordinated substitution of atoms

Rul' N.I. Romanov V.V. Korolev A.V. Кукушкин С.А. Gasumyants V.E.
  • Год: 2024
  • Том: 52
  • Выпуск: 6
  • 125
  • 2671
  • Страницы: 1-7

Gas phase large-scale synthesis of Silicon carbide nanowires by industrial electron accelerator

Bardakhanov S.P. Trufanov D.Y. Chakin I.K. Gaponenko V.R.
  • Год: 2023
  • Том: 51
  • Выпуск: 4
  • 25
  • 1272
  • Страницы: 96-106

Room-temperature quantum oscillations of static magnetic susceptibility of silicon-carbide epitaxial layers grown on a silicon substrate by the method of the coordinated substitution of atoms

Bagraev N.T. Кукушкин С.А. А.В. Осипов Romanov V.V. Klyachkin L.E. Malyarenko A.M. Rul' N.I.
  • Год: 2022
  • Том: 50
  • Выпуск: 1
  • 41
  • 1878
  • Страницы: 66-73

Mechanism of molecule migration of carbon and silicon monoxides in silicon carbide crystal

Кукушкин С.А. А.В. Осипов E.V. Osipova
  • Год: 2019
  • Том: 42
  • Выпуск: 2
  • 11
  • 2402
  • Страницы: 178-182

Formation of ordered ZnO structures grown by the ALD method on hybrid SiC/Si (100) substrates

Кукушкин С.А. А.В. Осипов I.A. Kasatkin V.Y. Mikhailovskii A.I. Romanychev
  • Год: 2019
  • Том: 42
  • Выпуск: 1
  • 11
  • 2485
  • Страницы: 30-39

Growth of SiC films by the method of substitution of atoms on porous Si (100) and (111) substrates

V.V. Kidalov Кукушкин С.А. А.В. Осипов A.V. Redkov А.С. Гращенко I.P. Soshnikov M.E. Boiko M.D. Sharkov A.F. Dyadenchuk
  • Год: 2018
  • Том: 36
  • Выпуск: 1
  • 48
  • 2966
  • Страницы: 39-52

Nucleation and growth mechanisms of CdTe thin films on silicon substrates with silicon carbide buffer layers

A.A. Koryakin Кукушкин С.А. A.V. Redkov
  • Год: 2017
  • Том: 32
  • Выпуск: 3
  • 3
  • 2140
  • Страницы: 262-271

Carbon-based nanostructure created by Ba and Cs atomic layer deposition on the vicinal 3C-SiC(111) surfaces

G.V. Benemanskaya P.A. Dementev Кукушкин С.А. M.N. Lapushkin А.В. Осипов S.N. Timoshnev
  • Год: 2017
  • Том: 32
  • Выпуск: 2
  • 7
  • 2658
  • Страницы: 108-116

Photoemission study of nano SiC epitaxial layers synthesized by a new method of the atom substitution in Si crystal lattice

G.V. Benemanskaya P.A. Dementev Кукушкин С.А. M.N. Lapushkin А.В. Осипов B. Senkovskiy S.N. Timoshnev
  • Год: 2015
  • Том: 22
  • Выпуск: 2
  • 9
  • 2040
  • Страницы: 183-190

The mechanism of formation of structural V-defects in polar and semipolar epitaxial GaN films synthesized on SiC/Si(111) and SiC/Si(100) heterostructures

V.N. Bessolov E.V. Konenkova A.V. Zubkova А.В. Осипов Орлова Т.С. S.N. Rodin Кукушкин С.А.
  • Год: 2014
  • Том: 21
  • Выпуск: 3
  • 9
  • 2154
  • Страницы: 266-274

Photoluminescence from SiC Nanocrystals Embedded in SiO2

Xueqin Liu Jing Zhang Zhijun Yan Shuyi Ma Yinyue Wang
  • Год: 2001
  • Том: 4
  • Выпуск: 2
  • 6
  • 1952
  • Страницы: 85-88