Статьи по ключевому слову "Silicon carbide"
Gas phase large-scale synthesis of Silicon carbide nanowires by industrial electron accelerator
- Год: 2023
- Том: 51
- Выпуск: 4
- 19
- 315
- Страницы: 96-106
Room-temperature quantum oscillations of static magnetic susceptibility of silicon-carbide epitaxial layers grown on a silicon substrate by the method of the coordinated substitution of atoms
- Год: 2022
- Том: 50
- Выпуск: 1
- 34
- 743
- Страницы: 66-73
Mechanism of molecule migration of carbon and silicon monoxides in silicon carbide crystal
- Год: 2019
- Том: 42
- Выпуск: 2
- 8
- 1189
- Страницы: 178-182
Formation of ordered ZnO structures grown by the ALD method on hybrid SiC/Si (100) substrates
- Год: 2019
- Том: 42
- Выпуск: 1
- 6
- 1168
- Страницы: 30-39
Growth of SiC films by the method of substitution of atoms on porous Si (100) and (111) substrates
- Год: 2018
- Том: 36
- Выпуск: 1
- 29
- 1298
- Страницы: 39-52
Nucleation and growth mechanisms of CdTe thin films on silicon substrates with silicon carbide buffer layers
- Год: 2017
- Том: 32
- Выпуск: 3
- 2
- 906
- Страницы: 262-271
Carbon-based nanostructure created by Ba and Cs atomic layer deposition on the vicinal 3C-SiC(111) surfaces
- Год: 2017
- Том: 32
- Выпуск: 2
- 6
- 1328
- Страницы: 108-116
Photoemission study of nano SiC epitaxial layers synthesized by a new method of the atom substitution in Si crystal lattice
- Год: 2015
- Том: 22
- Выпуск: 2
- 5
- 924
- Страницы: 183-190
The mechanism of formation of structural V-defects in polar and semipolar epitaxial GaN films synthesized on SiC/Si(111) and SiC/Si(100) heterostructures
- Год: 2014
- Том: 21
- Выпуск: 3
- 8
- 1019
- Страницы: 266-274
Photoluminescence from SiC Nanocrystals Embedded in SiO2
- Год: 2001
- Том: 4
- Выпуск: 2
- 5
- 842
- Страницы: 85-88