Статьи по ключевому слову "gallium oxide"
Effect of high-temperature annealing on the internal friction and optical transmittance of single crystal gallium oxide
- Год: 2024
- Том: 52
- Выпуск: 5
- 20
- 2295
- Страницы: 48-54
Tribological characteristics of bulk (-201) β-Ga2O3 substrate crystals grown by EFG
- Год: 2023
- Том: 51
- Выпуск: 6
- 37
- 1410
- Страницы: 135-144
The analysis of the etch pits parameters in the (-201) plane of the β-Ga2O3 substrate crystals
- Год: 2023
- Том: 51
- Выпуск: 3
- 38
- 1443
- Страницы: 46-51
Epitaxial stabilization of α-Ga2O3 layers grown on r-plane sapphire
- Год: 2023
- Том: 51
- Выпуск: 1
- 120
- 1867
- Страницы: 1-9
Thin films of gallium oxide obtained by spray-pyrolysis: method and properties
- Год: 2022
- Том: 50
- Выпуск: 1
- 88
- 2165
- Страницы: 107-117
HVPE growth of corundum-structured α-Ga2O3 on sapphire substrates with α-Cr2O3 buffer layer
- Год: 2021
- Том: 47
- Выпуск: 4
- 105
- 2894
- Страницы: 577-581
Wear resistance of α- and β- gallium oxide coatings
- Год: 2021
- Том: 47
- Выпуск: 1
- 52
- 2381
- Страницы: 52-58
Growth of thick gallium oxide on the various substrates by halide vapor phase epitaxy
- Год: 2020
- Том: 44
- Выпуск: 2
- 64
- 2915
- Страницы: 164-171
Czochralski grown (AlxGa1-x)2O3 crystals with variable Al content
- Год: 2019
- Том: 42
- Выпуск: 6
- 36
- 2710
- Страницы: 802-807
Structural characterization of bulk (AlXGa1-X)2O3 crystals grown by the ózochralski method
- Год: 2019
- Том: 42
- Выпуск: 6
- 12
- 2650
- Страницы: 797-801
Defects in thin epitaxial layers of (AlхGa1-х)2O3 grown on Al2O3 substrates
- Год: 2017
- Том: 32
- Выпуск: 2
- 9
- 2376
- Страницы: 178-185