Статьи по ключевому слову "gallium oxide"

Spalling-induced β-Ga2O3 lift-off protocol

  • Год: 2024
  • Том: 52
  • Выпуск: 5
  • 3
  • 29
  • Страницы: 55-63

Effect of high-temperature annealing on the internal friction and optical transmittance of single crystal gallium oxide

  • Год: 2024
  • Том: 52
  • Выпуск: 5
  • 2
  • 23
  • Страницы: 48-54

Tribological characteristics of bulk (-201) β-Ga2O3 substrate crystals grown by EFG

  • Год: 2023
  • Том: 51
  • Выпуск: 6
  • 35
  • 566
  • Страницы: 135-144

The analysis of the etch pits parameters in the (-201) plane of the β-Ga2O3 substrate crystals

  • Год: 2023
  • Том: 51
  • Выпуск: 3
  • 27
  • 589
  • Страницы: 46-51

Epitaxial stabilization of α-Ga2O3 layers grown on r-plane sapphire

  • Год: 2023
  • Том: 51
  • Выпуск: 1
  • 104
  • 983
  • Страницы: 1-9

Thin films of gallium oxide obtained by spray-pyrolysis: method and properties

  • Год: 2022
  • Том: 50
  • Выпуск: 1
  • 78
  • 1133
  • Страницы: 107-117

HVPE growth of corundum-structured α-Ga2O3 on sapphire substrates with α-Cr2O3 buffer layer

  • Год: 2021
  • Том: 47
  • Выпуск: 4
  • 87
  • 1951
  • Страницы: 577-581

Wear resistance of α- and β- gallium oxide coatings

  • Год: 2021
  • Том: 47
  • Выпуск: 1
  • 50
  • 1392
  • Страницы: 52-58

Growth of thick gallium oxide on the various substrates by halide vapor phase epitaxy

  • Год: 2020
  • Том: 44
  • Выпуск: 2
  • 62
  • 1935
  • Страницы: 164-171

Czochralski grown (AlxGa1-x)2O3 crystals with variable Al content

  • Год: 2019
  • Том: 42
  • Выпуск: 6
  • 35
  • 1728
  • Страницы: 802-807

Structural characterization of bulk (AlXGa1-X)2O3 crystals grown by the ózochralski method

  • Год: 2019
  • Том: 42
  • Выпуск: 6
  • 11
  • 1742
  • Страницы: 797-801

Defects in thin epitaxial layers of (AlхGa1-х)2O3 grown on Al2O3 substrates

  • Год: 2017
  • Том: 32
  • Выпуск: 2
  • 8
  • 1429
  • Страницы: 178-185