Статьи по ключевому слову "silicon carbide"

Room-temperature quantum oscillations of static magnetic susceptibility of silicon-carbide epitaxial layers grown on a silicon substrate by the method of the coordinated substitution of atoms

  • Год: 2022
  • Том: 50
  • Выпуск: 1
  • 18
  • 212
  • Страницы: 66-73

Mechanism of molecule migration of carbon and silicon monoxides in silicon carbide crystal

  • Год: 2019
  • Том: 42
  • Выпуск: 2
  • 8
  • 811
  • Страницы: 178-182

Formation of ordered ZnO structures grown by the ALD method on hybrid SiC/Si (100) substrates

  • Год: 2019
  • Том: 42
  • Выпуск: 1
  • 4
  • 815
  • Страницы: 30-39

Growth of SiC films by the method of substitution of atoms on porous Si (100) and (111) substrates

  • Год: 2018
  • Том: 36
  • Выпуск: 1
  • 23
  • 877
  • Страницы: 39-52

Nucleation and growth mechanisms of CdTe thin films on silicon substrates with silicon carbide buffer layers

  • Год: 2017
  • Том: 32
  • Выпуск: 3
  • 2
  • 624
  • Страницы: 262-271

Carbon-based nanostructure created by Ba and Cs atomic layer deposition on the vicinal 3C-SiC(111) surfaces

  • Год: 2017
  • Том: 32
  • Выпуск: 2
  • 6
  • 979
  • Страницы: 108-116

Photoemission study of nano SiC epitaxial layers synthesized by a new method of the atom substitution in Si crystal lattice

  • Год: 2015
  • Том: 22
  • Выпуск: 2
  • 5
  • 653
  • Страницы: 183-190

The mechanism of formation of structural V-defects in polar and semipolar epitaxial GaN films synthesized on SiC/Si(111) and SiC/Si(100) heterostructures

  • Год: 2014
  • Том: 21
  • Выпуск: 3
  • 8
  • 682
  • Страницы: 266-274

Photoluminescence from SiC Nanocrystals Embedded in SiO2

  • Год: 2001
  • Том: 4
  • Выпуск: 2
  • 2
  • 569
  • Страницы: 85-88