МФМ
Механика и физика материалов Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
Издается с 2000
ISSN 1605-8119
ru Русский
Версия для слабовидящих
Подать статью

Статьи по ключевому слову "Semiconductors"

Ab initio calculations of electronic band structure of ideal and defective CdMnS

Mehrabova M.A. Panahov N.T. Hasanov N.H.
  • Год: 2022
  • Том: 48
  • Выпуск: 3
  • 19
  • 801
  • Страницы: 419-427

Carbon-based nanostructure created by Ba and Cs atomic layer deposition on the vicinal 3C-SiC(111) surfaces

G.V. Benemanskaya P.A. Dementev С.А. Кукушкин M.N. Lapushkin А.В. Осипов S.N. Timoshnev
  • Год: 2017
  • Том: 32
  • Выпуск: 2
  • 6
  • 1583
  • Страницы: 108-116

Material characterization of a β-Ga2O3 crystal

Mikhail A. Bryushinin Igor A. Sokolov Roman V. Pisarev Anatoly M. Balbashov
  • Год: 2016
  • Том: 27
  • Выпуск: 1
  • 4
  • 1069
  • Страницы: 68-73

Сравнение характеристик диодов Шоттки на основе β-Ga2O3 и других широкозонных полупроводниковых материалов

М.А. Рожков Е.С. Колодезный А.М. Смирнов В.Е. Бугров А. Е. Романов
  • Год: 2015
  • Том: 24
  • Выпуск: 2
  • 27
  • 1468
  • Страницы: 194-200

The mechanism of formation of structural V-defects in polar and semipolar epitaxial GaN films synthesized on SiC/Si(111) and SiC/Si(100) heterostructures

V.N. Bessolov E.V. Konenkova A.V. Zubkova А.В. Осипов Орлова Т.С. S.N. Rodin С.А. Кукушкин
  • Год: 2014
  • Том: 21
  • Выпуск: 3
  • 8
  • 1234
  • Страницы: 266-274

Quantum Computing in Semiconductor Structures with 0.1 µm Separation of Nuclear-spin Qubits

D. Mozyrsky V. Privman
  • Год: 2001
  • Том: 4
  • Выпуск: 1
  • 1
  • 1109
  • Страницы: 5-7

Heteroepitaxial Growth of InAs on Si: the New Type of Quantum Dots

G.E. Cirlin N.K. Polyakov V.N. Petrov
  • Год: 2000
  • Том: 1
  • Выпуск: 1
  • 3
  • 1077
  • Страницы: 15-19