Последние выпуски
- 2025, Том 53 Выпуск 4
- 2025, Том 53 Выпуск 3
- 2025, Том 53 Выпуск 2
- 2025, Том 53 Выпуск 1
Одноблюдов
Место работы
Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
Санкт-Петербург, Россия
Параметрическое моделирование светоизлучающих структур на основе III-нитридов
- Год: 2012
- Том: 14
- Выпуск: 1
- 7
- 2222
- Страницы: 78-86
Оптимизация вывода света из мощных светодиодных сборок «чип на плате», излучающих в ультрафиолетовом диапазоне длин волн
- Год: 2013
- Том: 17
- Выпуск: 2
- 5
- 2057
- Страницы: 111-120
Моделирование теплообмена и оптимизация свойств материалов пластиковых радиаторов ретрофитных светодиодных ламп
- Год: 2013
- Том: 17
- Выпуск: 2
- 11
- 2143
- Страницы: 178-182
Сравнение эффективности светодиодных излучателей на основе монохромных чипов и чипов с люминофором
- Год: 2013
- Том: 18
- Выпуск: 2
- 5
- 2077
- Страницы: 135-142
Светоизлучающие р-n структуры, выращенные хлорид-гидридной эпитаксией на структурированных подложках GaN/Al2O3
- Год: 2015
- Том: 22
- Выпуск: 1
- 3
- 2213
- Страницы: 30-38
Толстые эпитаксиальные слои нитрида галлия на кремниевой подложке
- Год: 2015
- Том: 22
- Выпуск: 1
- 7
- 2013
- Страницы: 53-58
Simulation operation regimes of passive mode-locked laser based on InGaAlAs/InGaAs/InP heterostructures
- Год: 2016
- Том: 27
- Выпуск: 1
- 3
- 1866
- Страницы: 74-78
Оптические свойства толстых слоев нитрида галлия, выращенных хлорид-гидридной эпитаксией на структурированных подложках
- Год: 2016
- Том: 29
- Выпуск: 1
- 9
- 2282
- Страницы: 24-31
Influence of absorber characteristics on operation regimes of passive mode locked lasers based on InGaAlAs/InGaAs/InP heterostructures
- Год: 2016
- Том: 29
- Выпуск: 1
- 3
- 1988
- Страницы: 71-75
Defects in thin epitaxial layers of (AlхGa1-х)2O3 grown on Al2O3 substrates
- Год: 2017
- Том: 32
- Выпуск: 2
- 9
- 2411
- Страницы: 178-185
Growth of thick gallium oxide on the various substrates by halide vapor phase epitaxy
- Год: 2020
- Том: 44
- Выпуск: 2
- 65
- 2957
- Страницы: 164-171
On physical properties of few-photon detectors based on structures with micropillars
- Год: 2021
- Том: 47
- Выпуск: 6
- 42
- 2315
- Страницы: 978-986