Статьи по ключевому слову "heterostructure" | Механика и физика материалов

I.I. Novikov A.V. Babichev Е.С. Колодезный A.S. Kurochkin A.G. Gladyshev L.Ya. Karachinsky V.N. Nevedomsky S.A. Blokhin A.A. Blokhin A.M. Nadtochiy A.Yu. Egorov

Год: 2016
Том: 29
Выпуск: 1

4
858
Страницы: 76-81

Influence of absorber characteristics on operation regimes of passive mode locked lasers based on InGaAlAs/InGaAs/InP heterostructures

I.S. Polukhin G.A. Mikhailovskiy D.A. Rybalko Yu.V. Solov'ev E.P. Petukhov М.А. Одноблюдов Е.С. Колодезный A.K. Mikhailov В.Е. Бугров H. Lipsanen

Год: 2016
Том: 29
Выпуск: 1

2
891
Страницы: 71-75

Simulation operation regimes of passive mode-locked laser based on InGaAlAs/InGaAs/InP heterostructures

I.S. Polukhin G.A. Mikhailovskiy D.A. Rybalko Yu.V. Solov'ev М.А. Одноблюдов A.E. Gubenko D.A. Livshits A.N. Firsov A.N. Kirsyaev A.A. Efremov В.Е. Бугров

Год: 2016
Том: 27
Выпуск: 1

1
879
Страницы: 74-78

Molecular beam epitaxy grown strained heterostructures for active region of laser diode with emission wavelength 1520-1580 nm

A.V. Babichev A.S. Kurochkin Е.С. Колодезный A.G. Gladyshev I.I. Novikov L.Ya. Karachinsky A.Yu. Egorov

Год: 2015
Том: 24
Выпуск: 3

3
832
Страницы: 284-288

Critical thickness and bow of pseudomorphic InxGa1-xAs-based laser heterostructures grown on (001)GaAs and (001)InP substrates

M.E. Rudinsky S.Yu. Karpov H. Lipsanen А. Е. Романов

Год: 2015
Том: 24
Выпуск: 3

8
930
Страницы: 278-283

The mechanism of formation of structural V-defects in polar and semipolar epitaxial GaN films synthesized on SiC/Si(111) and SiC/Si(100) heterostructures

V.N. Bessolov E.V. Konenkova A.V. Zubkova А.В. Осипов Орлова Т.С. S.N. Rodin С.А. Кукушкин

Год: 2014
Том: 21
Выпуск: 3

8
1027
Страницы: 266-274