Последние выпуски
- 2025, Том 53 Выпуск 4
- 2025, Том 53 Выпуск 3
- 2025, Том 53 Выпуск 2
- 2025, Том 53 Выпуск 1
Кукушкин Сергей Арсеньевич
Должность
заведующий лабораторией, главный научный сотрудник
Место работы
Институт проблем машиноведения РАН
Ученая степень
доктор физико-математических наук
Ученое звание
профессор
Санкт-Петербург, Россия
Публикации
A Mathematical Model Of Metal Films Deposition from Photoactive Compound Solutions on Solid-Liquid Interface
- Год: 2000
- Том: 1
- Выпуск: 1
- 2
- 2057
- Страницы: 28-30
Critical Current Density in Polycrystalline High-Tc Superconductors with Disordered Tilt Boundaries
- Год: 2000
- Том: 1
- Выпуск: 1
- 3
- 2001
- Страницы: 49-53
On the Theory of Island Films Growth from Eutectic Melt at the Late Evolution Stage
- Год: 2000
- Том: 1
- Выпуск: 2
- 3
- 2079
- Страницы: 111-118
Heteroepitaxy of Gallium Nitride Layers: the Role of Initial Stages in Film Formation
- Год: 2003
- Том: 6
- Выпуск: 1
- 7
- 1876
- Страницы: 1-12
Semipolar GaN on Si (001): the role of SiC buffer layer synthesized by method of substrate atom substitution
- Год: 2014
- Том: 21
- Выпуск: 1
- 6
- 1887
- Страницы: 71-77
The mechanism of formation of structural V-defects in polar and semipolar epitaxial GaN films synthesized on SiC/Si (111) and SiC/Si (100) heterostructures
- Год: 2014
- Том: 21
- Выпуск: 3
- 9
- 2151
- Страницы: 266-274
Photoemission study of nano SiC epitaxial layers synthesized by a new method of the atom substitution in Si crystal lattice
- Год: 2015
- Том: 22
- Выпуск: 2
- 9
- 2038
- Страницы: 183-190
Microhardness study of two-layer nanostructures by a nanoindentation method
- Год: 2015
- Том: 24
- Выпуск: 1
- 4
- 1950
- Страницы: 35-40
Ab initio modelling of nonlinear elastoplastic properties of diamond-like C, SiC, Si, Ge crystals upon large strainse
- Год: 2016
- Том: 29
- Выпуск: 1
- 11
- 2187
- Страницы: 1-16
Evolution of crystal morphology under flow of low-energy particles: vacancy mechanism
- Год: 2016
- Том: 29
- Выпуск: 1
- 4
- 2151
- Страницы: 82-92
Nucleation of nanopores in glass optical fibers under influence of tensile stress: experiment
- Год: 2016
- Том: 29
- Выпуск: 2
- 6
- 2081
- Страницы: 125-132
Formation mechanisms and the orientation of self-polarization in PZT polycristalline thin films
- Год: 2017
- Том: 30
- Выпуск: 1
- 14
- 2216
- Страницы: 20-34
Carbon-based nanostructure created by Ba and Cs atomic layer deposition on the vicinal 3C-SiC (111) surfaces
- Год: 2017
- Том: 32
- Выпуск: 2
- 7
- 2654
- Страницы: 108-116
Nucleation and growth mechanisms of CdTe thin films on silicon substrates with silicon carbide buffer layers
- Год: 2017
- Том: 32
- Выпуск: 3
- 3
- 2137
- Страницы: 262-271
Growth of SiC films by the method of substitution of atoms on porous Si (100) and (111) substrates
- Год: 2018
- Том: 36
- Выпуск: 1
- 48
- 2962
- Страницы: 39-52
Formation of ordered ZnO structures grown by the ALD method on hybrid SiC/Si (100) substrates
- Год: 2019
- Том: 42
- Выпуск: 1
- 11
- 2479
- Страницы: 30-39
Mechanism of molecule migration of carbon and silicon monoxides in silicon carbide crystal
- Год: 2019
- Том: 42
- Выпуск: 2
- 11
- 2397
- Страницы: 178-182
Room-temperature quantum oscillations of static magnetic susceptibility of silicon-carbide epitaxial layers grown on a silicon substrate by the method of the coordinated substitution of atoms
- Год: 2022
- Том: 50
- Выпуск: 1
- 41
- 1873
- Страницы: 66-73
Field dependences of the magnetization of the hybrid SiC/Si structure grown by the vacancy method of coordinated substitution of atoms
- Год: 2024
- Том: 52
- Выпуск: 6
- 125
- 2667
- Страницы: 1-7
Magnetism of the hybrid SiC/Si structure grown on silicon surface
- Год: 2025
- Том: 53
- Выпуск: 1
- 58
- 2562
- Страницы: 159-164