Последние выпуски
- 2025, Том 53 Выпуск 4
- 2025, Том 53 Выпуск 3
- 2025, Том 53 Выпуск 2
- 2025, Том 53 Выпуск 1
Бугров
Место работы
Университет ИТМО
Санкт-Петербург, Россия
Параметрическое моделирование светоизлучающих структур на основе III-нитридов
- Год: 2012
- Том: 14
- Выпуск: 1
- 7
- 2219
- Страницы: 78-86
Оптимизация вывода света из мощных светодиодных сборок «чип на плате», излучающих в ультрафиолетовом диапазоне длин волн
- Год: 2013
- Том: 17
- Выпуск: 2
- 5
- 2054
- Страницы: 111-120
Моделирование теплообмена и оптимизация свойств материалов пластиковых радиаторов ретрофитных светодиодных ламп
- Год: 2013
- Том: 17
- Выпуск: 2
- 11
- 2141
- Страницы: 178-182
Сравнение эффективности светодиодных излучателей на основе монохромных чипов и чипов с люминофором
- Год: 2013
- Том: 18
- Выпуск: 2
- 5
- 2073
- Страницы: 135-142
Неорганический композит «стекло-люминофор» на основе высокопреломляющей свинцово-силикатной матрицы для белых светодиодов
- Год: 2014
- Том: 21
- Выпуск: 3
- 7
- 2280
- Страницы: 242-247
Thermal analysis of phosphor containing silicone layer in high power LEDs
- Год: 2014
- Том: 21
- Выпуск: 3
- 3
- 2057
- Страницы: 283-287
Светоизлучающие р-n структуры, выращенные хлорид-гидридной эпитаксией на структурированных подложках GaN/Al2O3
- Год: 2015
- Том: 22
- Выпуск: 1
- 3
- 2209
- Страницы: 30-38
Толстые эпитаксиальные слои нитрида галлия на кремниевой подложке
- Год: 2015
- Том: 22
- Выпуск: 1
- 7
- 2009
- Страницы: 53-58
Сравнение характеристик диодов Шоттки на основе β-Ga2O3 и других широкозонных полупроводниковых материалов
- Год: 2015
- Том: 24
- Выпуск: 2
- 32
- 2511
- Страницы: 194-200
Simulation operation regimes of passive mode-locked laser based on InGaAlAs/InGaAs/InP heterostructures
- Год: 2016
- Том: 27
- Выпуск: 1
- 3
- 1862
- Страницы: 74-78
Оптические свойства толстых слоев нитрида галлия, выращенных хлорид-гидридной эпитаксией на структурированных подложках
- Год: 2016
- Том: 29
- Выпуск: 1
- 9
- 2279
- Страницы: 24-31
Influence of absorber characteristics on operation regimes of passive mode locked lasers based on InGaAlAs/InGaAs/InP heterostructures
- Год: 2016
- Том: 29
- Выпуск: 1
- 3
- 1984
- Страницы: 71-75
Electrical and optical properties of transparent conducting ZnO: Al/AgNP multilayer films
- Год: 2016
- Том: 29
- Выпуск: 2
- 6
- 2233
- Страницы: 145-149
Defects in thin epitaxial layers of (AlхGa1-х)2O3 grown on Al2O3 substrates
- Год: 2017
- Том: 32
- Выпуск: 2
- 9
- 2408
- Страницы: 178-185
Study of antireflection coatings for high speed 1.3 -1.55 µm InGaAs/InP PIN photodetector
- Год: 2017
- Том: 32
- Выпуск: 2
- 21
- 2365
- Страницы: 194-197
Fabrication of p-type transparent oxide films with delafossite structure by sol-gel processing
- Год: 2017
- Том: 32
- Выпуск: 3
- 9
- 2566
- Страницы: 288-292
Relation of the optical properties of boron copper-containing glasses on the concentration of lithium
- Год: 2018
- Том: 40
- Выпуск: 1
- 8
- 2309
- Страницы: 78-83
The influence of gamma rays radiation on optically induced luminescence of copper-containing potassium-lithium-borate glass
- Год: 2019
- Том: 42
- Выпуск: 2
- 26
- 2549
- Страницы: 198-203
Structural characterization of bulk (AlXGa1-X)2O3 crystals grown by the ózochralski method
- Год: 2019
- Том: 42
- Выпуск: 6
- 12
- 2687
- Страницы: 797-801
Czochralski grown (AlxGa1-x)2O3 crystals with variable Al content
- Год: 2019
- Том: 42
- Выпуск: 6
- 36
- 2746
- Страницы: 802-807
On cracking in thick GaN layers grown on sapphire substrates
- Год: 2020
- Том: 44
- Выпуск: 1
- 28
- 2609
- Страницы: 1-7
Growth of thick gallium oxide on the various substrates by halide vapor phase epitaxy
- Год: 2020
- Том: 44
- Выпуск: 2
- 65
- 2954
- Страницы: 164-171
Multi-step dilatational inclusion in an elastically isotropic cylinder
- Год: 2021
- Том: 47
- Выпуск: 5
- 41
- 2684
- Страницы: 697-705
Thin films of gallium oxide obtained by spray-pyrolysis: method and properties
- Год: 2022
- Том: 50
- Выпуск: 1
- 88
- 2201
- Страницы: 107-117