А.В. Осипов
-
Место работыИнститут проблем машиноведения РАН
- Санкт-Петербург, Россия
Последние выпуски
- 2024, Том 52 Выпуск 6
- 2024, Том 52 Выпуск 5
- 2024, Том 52 Выпуск 4
- 2024, Том 52 Выпуск 3
Critical Current Density in Polycrystalline High-Tc Superconductors with Disordered Tilt Boundaries
- Год: 2000
- Том: 1
- Выпуск: 1
- 2
- 1286
- Страницы: 49-53
Heteroepitaxy of Gallium Nitride Layers: the Role of Initial Stages in Film Formation
- Год: 2003
- Том: 6
- Выпуск: 1
- 6
- 1202
- Страницы: 1-12
Semipolar GaN on Si(001): the role of SiC buffer layer synthesized by method of substrate atom substitution
- Год: 2014
- Том: 21
- Выпуск: 1
- 5
- 1159
- Страницы: 71-77
The mechanism of formation of structural V-defects in polar and semipolar epitaxial GaN films synthesized on SiC/Si(111) and SiC/Si(100) heterostructures
- Год: 2014
- Том: 21
- Выпуск: 3
- 8
- 1350
- Страницы: 266-274
Photoemission study of nano SiC epitaxial layers synthesized by a new method of the atom substitution in Si crystal lattice
- Год: 2015
- Том: 22
- Выпуск: 2
- 8
- 1291
- Страницы: 183-190
Microhardness study of two-layer nanostructures by a nanoindentation method
- Год: 2015
- Том: 24
- Выпуск: 1
- 3
- 1214
- Страницы: 35-40
Методики электрохимического осаждения и механические свойства пленок "медь - графен"
- Год: 2015
- Том: 24
- Выпуск: 1
- 13
- 1319
- Страницы: 61-71
Ab initio modelling of nonlinear elastoplastic properties of diamond-like C, SiC, Si, Ge crystals upon large strainse
- Год: 2016
- Том: 29
- Выпуск: 1
- 9
- 1355
- Страницы: 1-16
Evolution of crystal morphology under flow of low-energy particles: vacancy mechanism
- Год: 2016
- Том: 29
- Выпуск: 1
- 3
- 1347
- Страницы: 82-92
Carbon-based nanostructure created by Ba and Cs atomic layer deposition on the vicinal 3C-SiC(111) surfaces
- Год: 2017
- Том: 32
- Выпуск: 2
- 6
- 1716
- Страницы: 108-116
Growth of SiC films by the method of substitution of atoms on porous Si (100) and (111) substrates
- Год: 2018
- Том: 36
- Выпуск: 1
- 39
- 1812
- Страницы: 39-52
Formation of ordered ZnO structures grown by the ALD method on hybrid SiC/Si (100) substrates
- Год: 2019
- Том: 42
- Выпуск: 1
- 7
- 1574
- Страницы: 30-39
Mechanism of molecule migration of carbon and silicon monoxides in silicon carbide crystal
- Год: 2019
- Том: 42
- Выпуск: 2
- 8
- 1574
- Страницы: 178-182
Room-temperature quantum oscillations of static magnetic susceptibility of silicon-carbide epitaxial layers grown on a silicon substrate by the method of the coordinated substitution of atoms
- Год: 2022
- Том: 50
- Выпуск: 1
- 38
- 1089
- Страницы: 66-73