Осипов А.В. | Механика и физика материалов

МФМ

Механика и физика материалов Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого

Издается с 2000

ISSN 1605-8119

Автор Осипов А.В.

Подать статью

Последние выпуски

Осипов А.В.

Осипов А.В.

Место работы

Институт проблем машиноведения РАН

Санкт-Петербург, Россия

Critical Current Density in Polycrystalline High-Tc Superconductors with Disordered Tilt Boundaries

Кукушкин С.А. А.В. Осипов И.А. Овидько

Год: 2000
Том: 1
Выпуск: 1

3
2001
Страницы: 49-53

Heteroepitaxy of Gallium Nitride Layers: the Role of Initial Stages in Film Formation

V.N. Bessolov Кукушкин С.А. А.В. Осипов A.V. Luk'yanov

Год: 2003
Том: 6
Выпуск: 1

7
1876
Страницы: 1-12

Semipolar GaN on Si (001): the role of SiC buffer layer synthesized by method of substrate atom substitution

V.N. Bessolov E.V. Konenkova Кукушкин С.А. A.V. Myasoedov S.N. Rodin А.В. Осипов M.P. Shcheglov

Год: 2014
Том: 21
Выпуск: 1

6
1887
Страницы: 71-77

The mechanism of formation of structural V-defects in polar and semipolar epitaxial GaN films synthesized on SiC/Si (111) and SiC/Si (100) heterostructures

V.N. Bessolov E.V. Konenkova A.V. Zubkova А.В. Осипов Орлова Т.С. S.N. Rodin Кукушкин С.А.

Год: 2014
Том: 21
Выпуск: 3

9
2151
Страницы: 266-274

Photoemission study of nano SiC epitaxial layers synthesized by a new method of the atom substitution in Si crystal lattice

G.V. Benemanskaya P.A. Dementev Кукушкин С.А. M.N. Lapushkin А.В. Осипов B. Senkovskiy S.N. Timoshnev

Год: 2015
Том: 22
Выпуск: 2

9
2038
Страницы: 183-190

Microhardness study of two-layer nanostructures by a nanoindentation method

А.С. Гращенко Кукушкин С.А. А.В. Осипов

Год: 2015
Том: 24
Выпуск: 1

4
1950
Страницы: 35-40

Методики электрохимического осаждения и механические свойства пленок «медь — графен»

В.Г. Конаков О.Ю. Курапова Н.Н. Новик А.С. Гращенко А.В. Осипов И.Ю. Арчаков

Год: 2015
Том: 24
Выпуск: 1

16
2119
Страницы: 61-71

Ab initio modelling of nonlinear elastoplastic properties of diamond-like C, SiC, Si, Ge crystals upon large strainse

R.S. Telyatnik А.В. Осипов Кукушкин С.А.

Год: 2016
Том: 29
Выпуск: 1

11
2188
Страницы: 1-16

Evolution of crystal morphology under flow of low-energy particles: vacancy mechanism

A.V. Redkov А.В. Осипов Кукушкин С.А.

Год: 2016
Том: 29
Выпуск: 1

4
2151
Страницы: 82-92

Carbon-based nanostructure created by Ba and Cs atomic layer deposition on the vicinal 3C-SiC (111) surfaces

G.V. Benemanskaya P.A. Dementev Кукушкин С.А. M.N. Lapushkin А.В. Осипов S.N. Timoshnev

Год: 2017
Том: 32
Выпуск: 2

7
2654
Страницы: 108-116

Growth of SiC films by the method of substitution of atoms on porous Si (100) and (111) substrates

V.V. Kidalov Кукушкин С.А. А.В. Осипов A.V. Redkov А.С. Гращенко I.P. Soshnikov M.E. Boiko M.D. Sharkov A.F. Dyadenchuk

Год: 2018
Том: 36
Выпуск: 1

48
2962
Страницы: 39-52

Formation of ordered ZnO structures grown by the ALD method on hybrid SiC/Si (100) substrates

Кукушкин С.А. А.В. Осипов I.A. Kasatkin V.Y. Mikhailovskii A.I. Romanychev

Год: 2019
Том: 42
Выпуск: 1

11
2479
Страницы: 30-39

Mechanism of molecule migration of carbon and silicon monoxides in silicon carbide crystal

Кукушкин С.А. А.В. Осипов E.V. Osipova

Год: 2019
Том: 42
Выпуск: 2

11
2397
Страницы: 178-182

Room-temperature quantum oscillations of static magnetic susceptibility of silicon-carbide epitaxial layers grown on a silicon substrate by the method of the coordinated substitution of atoms

Bagraev N.T. Кукушкин С.А. А.В. Осипов Romanov V.V. Klyachkin L.E. Malyarenko A.M. Rul' N.I.

Год: 2022
Том: 50
Выпуск: 1

41
1874
Страницы: 66-73

Magnetism of the hybrid SiC/Si structure grown on silicon surface

Romanov V.V. Rul' N.I. Gasumyants V.E. Venevtsev I.D. K.B. Taranets Korolev A.V. Кукушкин С.А. А.В. Осипов Bagraev N.T.

Год: 2025
Том: 53
Выпуск: 1

58
2562
Страницы: 159-164