Последние выпуски
- 2025, Том 53 Выпуск 4
- 2025, Том 53 Выпуск 3
- 2025, Том 53 Выпуск 2
- 2025, Том 53 Выпуск 1
Николаев
Место работы
Физико-технический институт имени А. Ф. Иоффе РАН
Санкт-Петербург, Россия
Оптимизация вывода света из мощных светодиодных сборок «чип на плате», излучающих в ультрафиолетовом диапазоне длин волн
- Год: 2013
- Том: 17
- Выпуск: 2
- 5
- 2019
- Страницы: 111-120
Сравнение эффективности светодиодных излучателей на основе монохромных чипов и чипов с люминофором
- Год: 2013
- Том: 18
- Выпуск: 2
- 5
- 2036
- Страницы: 135-142
Монокристаллы β-Ga2O3, выращенные из расплава оксидов галлия и алюминия
- Год: 2014
- Том: 21
- Выпуск: 2
- 25
- 2073
- Страницы: 194-199
Светоизлучающие р-n структуры, выращенные хлорид-гидридной эпитаксией на структурированных подложках GaN/Al2O3
- Год: 2015
- Том: 22
- Выпуск: 1
- 3
- 2172
- Страницы: 30-38
Толстые эпитаксиальные слои нитрида галлия на кремниевой подложке
- Год: 2015
- Том: 22
- Выпуск: 1
- 7
- 1977
- Страницы: 53-58
Особенности восстановления деформации памяти формы в монокристаллах сплавов Cu-Al-Ni
- Год: 2015
- Том: 22
- Выпуск: 1
- 20
- 2168
- Страницы: 64-68
Оптические свойства толстых слоев нитрида галлия, выращенных хлорид-гидридной эпитаксией на структурированных подложках
- Год: 2016
- Том: 29
- Выпуск: 1
- 9
- 2238
- Страницы: 24-31
Исследование изгибного силового элемента из монокристаллического сплава Cu.Al.Ni для линейных двигателей
- Год: 2016
- Том: 29
- Выпуск: 2
- 11
- 2149
- Страницы: 158-165
Исследование эпитаксиальных слоёв и монокристаллов β-Ga2O3 методом наноиндентирования
- Год: 2016
- Том: 29
- Выпуск: 2
- 61
- 3101
- Страницы: 166-171
Shape memory Cu-Al-Ni single crystals for application in rotary actuators
- Год: 2017
- Том: 32
- Выпуск: 1
- 14
- 2062
- Страницы: 83-87
Defects in thin epitaxial layers of (AlхGa1-х)2O3 grown on Al2O3 substrates
- Год: 2017
- Том: 32
- Выпуск: 2
- 9
- 2373
- Страницы: 178-185
Burst-like shape memory recovery and calorimetric effect in Cu-Al-Ni alloy single crystals at cyclic test
- Год: 2020
- Том: 46
- Выпуск: 1
- 45
- 2228
- Страницы: 42-49
Wear resistance of α- and β- gallium oxide coatings
- Год: 2021
- Том: 47
- Выпуск: 1
- 52
- 2378
- Страницы: 52-58
Jumping at strain recovery in shape memory Cu-Al-Ni single crystals
- Год: 2021
- Том: 47
- Выпуск: 1
- 59
- 2324
- Страницы: 59-64
HVPE growth of corundum-structured α-Ga2O3 on sapphire substrates with α-Cr2O3 buffer layer
- Год: 2021
- Том: 47
- Выпуск: 4
- 105
- 2888
- Страницы: 577-581
Effect of Si+ ion irradiation of α-Ga2O3 epitaxial layers on their hydrogen sensitivity
- Год: 2022
- Том: 48
- Выпуск: 3
- 88
- 1771
- Страницы: 301-307
Epitaxial stabilization of α-Ga2O3 layers grown on r-plane sapphire
- Год: 2023
- Том: 51
- Выпуск: 1
- 120
- 1864
- Страницы: 1-9
The analysis of the etch pits parameters in the (-201) plane of the β-Ga2O3 substrate crystals
- Год: 2023
- Том: 51
- Выпуск: 3
- 38
- 1440
- Страницы: 46-51
Tribological characteristics of bulk (-201) β-Ga2O3 substrate crystals grown by EFG
- Год: 2023
- Том: 51
- Выпуск: 6
- 37
- 1404
- Страницы: 135-144