В.И Николаев
  • Место работы
    Физико-технический институт имени А. Ф. Иоффе РАН
  • Санкт-Петербург, Россия

Оптимизация вывода света из мощных светодиодных сборок "чип на плате", излучающих в ультрафиолетовом диапазоне длин волн

  • Год: 2013
  • Том: 17
  • Выпуск: 2
  • 4
  • 1148
  • Страницы: 111-120

Сравнение эффективности светодиодных излучателей на основе монохромных чипов и чипов с люминофором

  • Год: 2013
  • Том: 18
  • Выпуск: 2
  • 4
  • 1179
  • Страницы: 135-142

Temperature stability of colored LED elements

  • Год: 2013
  • Том: 18
  • Выпуск: 2
  • 1
  • 1213
  • Страницы: 143-147

Монокристаллы β-Ga2O3, выращенные из расплава оксидов галлия и алюминия

  • Год: 2014
  • Том: 21
  • Выпуск: 2
  • 24
  • 1247
  • Страницы: 194-199

Светоизлучающие р-n структуры, выращенные хлорид-гидридной эпитаксией на структурированных подложках GaN/Al2O3

  • Год: 2015
  • Том: 22
  • Выпуск: 1
  • 2
  • 1248
  • Страницы: 30-38

Толстые эпитаксиальные слои нитрида галлия на кремниевой подложке

  • Год: 2015
  • Том: 22
  • Выпуск: 1
  • 6
  • 1115
  • Страницы: 53-58

GaN growth ON β-Ga2O3 substrates by HVPE

  • Год: 2015
  • Том: 22
  • Выпуск: 1
  • 12
  • 1281
  • Страницы: 59-58

Особенности восстановления деформации памяти формы в монокристаллах сплавов Cu-Al-Ni

  • Год: 2015
  • Том: 22
  • Выпуск: 1
  • 12
  • 1207
  • Страницы: 64-68

Оптические свойства толстых слоев нитрида галлия, выращенных хлорид-гидридной эпитаксией на структурированных подложках

  • Год: 2016
  • Том: 29
  • Выпуск: 1
  • 8
  • 1292
  • Страницы: 24-31

Исследование изгибного силового элемента из монокристаллического сплава Cu.Al.Ni для линейных двигателей

  • Год: 2016
  • Том: 29
  • Выпуск: 2
  • 5
  • 1218
  • Страницы: 158-165

Исследование эпитаксиальных слоёв и монокристаллов β-Ga2O3 методом наноиндентирования

  • Год: 2016
  • Том: 29
  • Выпуск: 2
  • 49
  • 1878
  • Страницы: 166-171

Shape memory Cu-Al-Ni single crystals for application in rotary actuators

  • Год: 2017
  • Том: 32
  • Выпуск: 1
  • 13
  • 1206
  • Страницы: 83-87

Defects in thin epitaxial layers of (AlхGa1-х)2O3 grown on Al2O3 substrates

  • Год: 2017
  • Том: 32
  • Выпуск: 2
  • 8
  • 1357
  • Страницы: 178-185

Burst-like shape memory recovery and calorimetric effect in Cu-Al-Ni alloy single crystals at cyclic test

  • Год: 2020
  • Том: 46
  • Выпуск: 1
  • 39
  • 1204
  • Страницы: 42-49

Wear resistance of α- and β- gallium oxide coatings

  • Год: 2021
  • Том: 47
  • Выпуск: 1
  • 50
  • 1307
  • Страницы: 52-58

Jumping at strain recovery in shape memory Cu-Al-Ni single crystals

  • Год: 2021
  • Том: 47
  • Выпуск: 1
  • 52
  • 1350
  • Страницы: 59-64

HVPE growth of corundum-structured α-Ga2O3 on sapphire substrates with α-Cr2O3 buffer layer

  • Год: 2021
  • Том: 47
  • Выпуск: 4
  • 85
  • 1827
  • Страницы: 577-581

Effect of Si+ ion irradiation of α-Ga2O3 epitaxial layers on their hydrogen sensitivity

  • Год: 2022
  • Том: 48
  • Выпуск: 3
  • 84
  • 979
  • Страницы: 301-307

Epitaxial stabilization of α-Ga2O3 layers grown on r-plane sapphire

  • Год: 2023
  • Том: 51
  • Выпуск: 1
  • 101
  • 920
  • Страницы: 1-9

The analysis of the etch pits parameters in the (-201) plane of the β-Ga2O3 substrate crystals

  • Год: 2023
  • Том: 51
  • Выпуск: 3
  • 25
  • 505
  • Страницы: 46-51

Tribological characteristics of bulk (-201) β-Ga2O3 substrate crystals grown by EFG

  • Год: 2023
  • Том: 51
  • Выпуск: 6
  • 34
  • 449
  • Страницы: 135-144