Статьи по ключевому слову "BST"

The analysis of the etch pits parameters in the (-201) plane of the β-Ga2O3 substrate crystals

  • Год: 2023
  • Том: 51
  • Выпуск: 3
  • 20
  • 295
  • Страницы: 46-51

Epitaxial stabilization of α-Ga2O3 layers grown on r-plane sapphire

  • Год: 2023
  • Том: 51
  • Выпуск: 1
  • 94
  • 780
  • Страницы: 1-9

Physical fundamentals of thermomechanical processing in ultrafine-grained metallic materials manufacturing

  • Год: 2020
  • Том: 43
  • Выпуск: 1
  • 18
  • 1241
  • Страницы: 50-58

Dynamics of a frictional system, accounting for hereditary-type friction and the mobility of the vibration limiter

  • Год: 2019
  • Том: 42
  • Выпуск: 6
  • 7
  • 996
  • Страницы: 742-748

A synthesis of BAxSR1-xTIO3 film and characterization of ferroelectric properties and its extension as random access memory

  • Год: 2019
  • Том: 42
  • Выпуск: 1
  • 13
  • 1034
  • Страницы: 131-140

Growth of SiC films by the method of substitution of atoms on porous Si (100) and (111) substrates

  • Год: 2018
  • Том: 36
  • Выпуск: 1
  • 30
  • 1387
  • Страницы: 39-52

Fabrication of p-type transparent oxide films with delafossite structure by sol-gel processing

  • Год: 2017
  • Том: 32
  • Выпуск: 3
  • 8
  • 1352
  • Страницы: 288-292

Nucleation and growth mechanisms of CdTe thin films on silicon substrates with silicon carbide buffer layers

  • Год: 2017
  • Том: 32
  • Выпуск: 3
  • 2
  • 979
  • Страницы: 262-271

Formation mechanisms and the orientation of self-polarization in PZT polycristalline thin films

  • Год: 2017
  • Том: 30
  • Выпуск: 1
  • 5
  • 1089
  • Страницы: 20-34

Technical and economic substantiation construction methods on frozen soils in the face of global warming

  • Год: 2016
  • Том: 26
  • Выпуск: 1
  • 1
  • 860
  • Страницы: 89-92

Technical and economic substantiation of permafrost thermal stabilization technology under global warming conditions

  • Год: 2016
  • Том: 26
  • Выпуск: 1
  • 3
  • 876
  • Страницы: 85-88

Critical thickness and bow of pseudomorphic InxGa1-xAs-based laser heterostructures grown on (001)GaAs and (001)InP substrates

  • Год: 2015
  • Том: 24
  • Выпуск: 3
  • 8
  • 1009
  • Страницы: 278-283

Microhardness study of two-layer nanostructures by a nanoindentation method

  • Год: 2015
  • Том: 24
  • Выпуск: 1
  • 3
  • 981
  • Страницы: 35-40

GaN growth ON β-Ga2O3 substrates by HVPE

  • Год: 2015
  • Том: 22
  • Выпуск: 1
  • 12
  • 1127
  • Страницы: 59-58

Толстые эпитаксиальные слои нитрида галлия на кремниевой подложке

  • Год: 2015
  • Том: 22
  • Выпуск: 1
  • 6
  • 969
  • Страницы: 53-58

Светоизлучающие р-n структуры, выращенные хлорид-гидридной эпитаксией на структурированных подложках GaN/Al2O3

  • Год: 2015
  • Том: 22
  • Выпуск: 1
  • 2
  • 1095
  • Страницы: 30-38

On the Nature of Layer Substructure of Doped Silicon Films

  • Год: 2004
  • Том: 7
  • Выпуск: 1
  • 1
  • 807
  • Страницы: 67-71

Nano-islands on Plastically Deformed Substrates with Disclinations

  • Год: 2000
  • Том: 2
  • Выпуск: 1
  • 1
  • 1084
  • Страницы: 31-36