Статьи по ключевому слову "BST"
The analysis of the etch pits parameters in the (-201) plane of the β-Ga2O3 substrate crystals
- Год: 2023
- Том: 51
- Выпуск: 3
- 38
- 1443
- Страницы: 46-51
Epitaxial stabilization of α-Ga2O3 layers grown on r-plane sapphire
- Год: 2023
- Том: 51
- Выпуск: 1
- 120
- 1867
- Страницы: 1-9
Physical fundamentals of thermomechanical processing in ultrafine-grained metallic materials manufacturing
- Год: 2020
- Том: 43
- Выпуск: 1
- 22
- 2396
- Страницы: 50-58
Dynamics of a frictional system, accounting for hereditary-type friction and the mobility of the vibration limiter
- Год: 2019
- Том: 42
- Выпуск: 6
- 8
- 2062
- Страницы: 742-748
A synthesis of BAxSR1-xTIO3 film and characterization of ferroelectric properties and its extension as random access memory
- Год: 2019
- Том: 42
- Выпуск: 1
- 15
- 2055
- Страницы: 131-140
Growth of SiC films by the method of substitution of atoms on porous Si (100) and (111) substrates
- Год: 2018
- Том: 36
- Выпуск: 1
- 48
- 2966
- Страницы: 39-52
Fabrication of p-type transparent oxide films with delafossite structure by sol-gel processing
- Год: 2017
- Том: 32
- Выпуск: 3
- 9
- 2535
- Страницы: 288-292
Nucleation and growth mechanisms of CdTe thin films on silicon substrates with silicon carbide buffer layers
- Год: 2017
- Том: 32
- Выпуск: 3
- 3
- 2140
- Страницы: 262-271
Formation mechanisms and the orientation of self-polarization in PZT polycristalline thin films
- Год: 2017
- Том: 30
- Выпуск: 1
- 14
- 2220
- Страницы: 20-34
Technical and economic substantiation construction methods on frozen soils in the face of global warming
- Год: 2016
- Том: 26
- Выпуск: 1
- 2
- 1790
- Страницы: 89-92
Technical and economic substantiation of permafrost thermal stabilization technology under global warming conditions
- Год: 2016
- Том: 26
- Выпуск: 1
- 4
- 1832
- Страницы: 85-88
Critical thickness and bow of pseudomorphic InxGa1-xAs-based laser heterostructures grown on (001)GaAs and (001)InP substrates
- Год: 2015
- Том: 24
- Выпуск: 3
- 9
- 2034
- Страницы: 278-283
Microhardness study of two-layer nanostructures by a nanoindentation method
- Год: 2015
- Том: 24
- Выпуск: 1
- 4
- 1954
- Страницы: 35-40
Толстые эпитаксиальные слои нитрида галлия на кремниевой подложке
- Год: 2015
- Том: 22
- Выпуск: 1
- 7
- 1979
- Страницы: 53-58
Светоизлучающие р-n структуры, выращенные хлорид-гидридной эпитаксией на структурированных подложках GaN/Al2O3
- Год: 2015
- Том: 22
- Выпуск: 1
- 3
- 2175
- Страницы: 30-38
On the Nature of Layer Substructure of Doped Silicon Films
- Год: 2004
- Том: 7
- Выпуск: 1
- 2
- 1717
- Страницы: 67-71
Nano-islands on Plastically Deformed Substrates with Disclinations
- Год: 2000
- Том: 2
- Выпуск: 1
- 2
- 2148
- Страницы: 31-36