Статьи по ключевому слову "Semiconductor"

The analysis of the etch pits parameters in the (-201) plane of the β-Ga2O3 substrate crystals

  • Год: 2023
  • Том: 51
  • Выпуск: 3
  • 25
  • 507
  • Страницы: 46-51

Thin films of gallium oxide obtained by spray-pyrolysis: method and properties

  • Год: 2022
  • Том: 50
  • Выпуск: 1
  • 69
  • 1028
  • Страницы: 107-117

Ab initio calculations of electronic band structure of ideal and defective CdMnS

  • Год: 2022
  • Том: 48
  • Выпуск: 3
  • 19
  • 802
  • Страницы: 419-427

On physical properties of few-photon detectors based on structures with micropillars

  • Год: 2021
  • Том: 47
  • Выпуск: 6
  • 37
  • 1553
  • Страницы: 978-986

Growth of thick gallium oxide on the various substrates by halide vapor phase epitaxy

  • Год: 2020
  • Том: 44
  • Выпуск: 2
  • 59
  • 1826
  • Страницы: 164-171

КВАНТОВО-ХИМИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ КЛАСТЕРОВ НА ОСНОВЕ ВИСМУТА

  • Год: 2020
  • Том: 43
  • Выпуск: 1
  • 42
  • 1445
  • Страницы: 72-83

Structural characterization of bulk (AlXGa1-X)2O3 crystals grown by the ózochralski method

  • Год: 2019
  • Том: 42
  • Выпуск: 6
  • 11
  • 1658
  • Страницы: 797-801

Carbon-based nanostructure created by Ba and Cs atomic layer deposition on the vicinal 3C-SiC(111) surfaces

  • Год: 2017
  • Том: 32
  • Выпуск: 2
  • 6
  • 1583
  • Страницы: 108-116

Material characterization of a β-Ga2O3 crystal

  • Год: 2016
  • Том: 27
  • Выпуск: 1
  • 4
  • 1069
  • Страницы: 68-73

Сравнение характеристик диодов Шоттки на основе β-Ga2O3 и других широкозонных полупроводниковых материалов

  • Год: 2015
  • Том: 24
  • Выпуск: 2
  • 27
  • 1468
  • Страницы: 194-200

The mechanism of formation of structural V-defects in polar and semipolar epitaxial GaN films synthesized on SiC/Si(111) and SiC/Si(100) heterostructures

  • Год: 2014
  • Том: 21
  • Выпуск: 3
  • 8
  • 1234
  • Страницы: 266-274

Negative differential resistance in ferromagnet/wide-gap semiconductor/ferromagnet nanostructure

  • Год: 2014
  • Том: 20
  • Выпуск: 2
  • 3
  • 999
  • Страницы: 106-110

Action of Laser Radiation on Crystals of Gallium Arsenide

  • Год: 2012
  • Том: 13
  • Выпуск: 1
  • 1
  • 738
  • Страницы: 48-50

Изменение рассеянной мощности поверхностной акустической волны, распространяющейся по поверхности арсенида галлия в процессе осаждения пленок золота

  • Год: 2011
  • Том: 12
  • Выпуск: 2
  • 1
  • 1123
  • Страницы: 174-185

Девиация скорости поверхностной акустической волны, распространяющейся по поверхности арсенида галлия в процессе осаждения золота

  • Год: 2011
  • Том: 12
  • Выпуск: 2
  • 2
  • 1199
  • Страницы: 161-173

Bandgap Expansion of a Nanometric Semiconductor

  • Год: 2001
  • Том: 4
  • Выпуск: 2
  • 1
  • 1038
  • Страницы: 129-133

Nanostructure of Metal/Semiconductor System by Synchrotron X-ray Scattering

  • Год: 2001
  • Том: 4
  • Выпуск: 1
  • 1
  • 1061
  • Страницы: 25-28

Quantum Computing in Semiconductor Structures with 0.1 µm Separation of Nuclear-spin Qubits

  • Год: 2001
  • Том: 4
  • Выпуск: 1
  • 1
  • 1109
  • Страницы: 5-7

Heteroepitaxial Growth of InAs on Si: the New Type of Quantum Dots

  • Год: 2000
  • Том: 1
  • Выпуск: 1
  • 3
  • 1077
  • Страницы: 15-19