Статьи по ключевому слову "semiconductor"
The analysis of the etch pits parameters in the (-201) plane of the β-Ga2O3 substrate crystals
- Год: 2023
- Том: 51
- Выпуск: 3
- 25
- 506
- Страницы: 46-51
Thin films of gallium oxide obtained by spray-pyrolysis: method and properties
- Год: 2022
- Том: 50
- Выпуск: 1
- 69
- 1026
- Страницы: 107-117
Ab initio calculations of electronic band structure of ideal and defective CdMnS
- Год: 2022
- Том: 48
- Выпуск: 3
- 19
- 801
- Страницы: 419-427
On physical properties of few-photon detectors based on structures with micropillars
- Год: 2021
- Том: 47
- Выпуск: 6
- 37
- 1552
- Страницы: 978-986
Growth of thick gallium oxide on the various substrates by halide vapor phase epitaxy
- Год: 2020
- Том: 44
- Выпуск: 2
- 59
- 1825
- Страницы: 164-171
КВАНТОВО-ХИМИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ КЛАСТЕРОВ НА ОСНОВЕ ВИСМУТА
- Год: 2020
- Том: 43
- Выпуск: 1
- 42
- 1444
- Страницы: 72-83
Structural characterization of bulk (AlXGa1-X)2O3 crystals grown by the ózochralski method
- Год: 2019
- Том: 42
- Выпуск: 6
- 11
- 1658
- Страницы: 797-801
Carbon-based nanostructure created by Ba and Cs atomic layer deposition on the vicinal 3C-SiC(111) surfaces
- Год: 2017
- Том: 32
- Выпуск: 2
- 6
- 1583
- Страницы: 108-116
Сравнение характеристик диодов Шоттки на основе β-Ga2O3 и других широкозонных полупроводниковых материалов
- Год: 2015
- Том: 24
- Выпуск: 2
- 27
- 1468
- Страницы: 194-200
The mechanism of formation of structural V-defects in polar and semipolar epitaxial GaN films synthesized on SiC/Si(111) and SiC/Si(100) heterostructures
- Год: 2014
- Том: 21
- Выпуск: 3
- 8
- 1234
- Страницы: 266-274
Negative differential resistance in ferromagnet/wide-gap semiconductor/ferromagnet nanostructure
- Год: 2014
- Том: 20
- Выпуск: 2
- 3
- 998
- Страницы: 106-110
Action of Laser Radiation on Crystals of Gallium Arsenide
- Год: 2012
- Том: 13
- Выпуск: 1
- 1
- 737
- Страницы: 48-50
Изменение рассеянной мощности поверхностной акустической волны, распространяющейся по поверхности арсенида галлия в процессе осаждения пленок золота
- Год: 2011
- Том: 12
- Выпуск: 2
- 1
- 1122
- Страницы: 174-185
Девиация скорости поверхностной акустической волны, распространяющейся по поверхности арсенида галлия в процессе осаждения золота
- Год: 2011
- Том: 12
- Выпуск: 2
- 2
- 1198
- Страницы: 161-173
Nanostructure of Metal/Semiconductor System by Synchrotron X-ray Scattering
- Год: 2001
- Том: 4
- Выпуск: 1
- 1
- 1061
- Страницы: 25-28
Quantum Computing in Semiconductor Structures with 0.1 µm Separation of Nuclear-spin Qubits
- Год: 2001
- Том: 4
- Выпуск: 1
- 1
- 1109
- Страницы: 5-7
Heteroepitaxial Growth of InAs on Si: the New Type of Quantum Dots
- Год: 2000
- Том: 1
- Выпуск: 1
- 3
- 1076
- Страницы: 15-19