Статьи по ключевому слову "semiconductor"
On physical properties of few-photon detectors based on structures with micropillars
- Год: 2021
- Том: 47
- Выпуск: 6
- 30
- 508
- Страницы: 978-986
Growth of thick gallium oxide on the various substrates by halide vapor phase epitaxy
- Год: 2020
- Том: 44
- Выпуск: 2
- 32
- 793
- Страницы: 164-171
КВАНТОВО-ХИМИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ КЛАСТЕРОВ НА ОСНОВЕ ВИСМУТА
- Год: 2020
- Том: 43
- Выпуск: 1
- 29
- 582
- Страницы: 72-83
Structural characterization of bulk (AlXGa1-X)2O3 crystals grown by the ózochralski method
- Год: 2019
- Том: 42
- Выпуск: 6
- 8
- 751
- Страницы: 797-801
Carbon-based nanostructure created by Ba and Cs atomic layer deposition on the vicinal 3C-SiC(111) surfaces
- Год: 2017
- Том: 32
- Выпуск: 2
- 6
- 752
- Страницы: 108-116
Сравнение характеристик диодов Шоттки на основе β-Ga2O3 и других широкозонных полупроводниковых материалов
- Год: 2015
- Том: 24
- Выпуск: 2
- 14
- 517
- Страницы: 194-200
The mechanism of formation of structural V-defects in polar and semipolar epitaxial GaN films synthesized on SiC/Si(111) and SiC/Si(100) heterostructures
- Год: 2014
- Том: 21
- Выпуск: 3
- 6
- 486
- Страницы: 266-274
Negative differential resistance in ferromagnet/wide-gap semiconductor/ferromagnet nanostructure
- Год: 2014
- Том: 20
- Выпуск: 2
- 3
- 384
- Страницы: 106-110
Action of Laser Radiation on Crystals of Gallium Arsenide
- Год: 2012
- Том: 13
- Выпуск: 1
- 1
- 210
- Страницы: 48-50
Изменение рассеянной мощности поверхностной акустической волны, распространяющейся по поверхности арсенида галлия в процессе осаждения пленок золота
- Год: 2011
- Том: 12
- Выпуск: 2
- 1
- 389
- Страницы: 174-185
Девиация скорости поверхностной акустической волны, распространяющейся по поверхности арсенида галлия в процессе осаждения золота
- Год: 2011
- Том: 12
- Выпуск: 2
- 1
- 407
- Страницы: 161-173
Nanostructure of Metal/Semiconductor System by Synchrotron X-ray Scattering
- Год: 2001
- Том: 4
- Выпуск: 1
- 1
- 400
- Страницы: 25-28
Quantum Computing in Semiconductor Structures with 0.1 µm Separation of Nuclear-spin Qubits
- Год: 2001
- Том: 4
- Выпуск: 1
- 1
- 415
- Страницы: 5-7
Heteroepitaxial Growth of InAs on Si: the New Type of Quantum Dots
- Год: 2000
- Том: 1
- Выпуск: 1
- 3
- 375
- Страницы: 15-19