Статьи по ключевому слову "semiconductor"

On physical properties of few-photon detectors based on structures with micropillars

  • Год: 2021
  • Том: 47
  • Выпуск: 6
  • 30
  • 508
  • Страницы: 978-986

Growth of thick gallium oxide on the various substrates by halide vapor phase epitaxy

  • Год: 2020
  • Том: 44
  • Выпуск: 2
  • 32
  • 793
  • Страницы: 164-171

КВАНТОВО-ХИМИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ КЛАСТЕРОВ НА ОСНОВЕ ВИСМУТА

  • Год: 2020
  • Том: 43
  • Выпуск: 1
  • 29
  • 582
  • Страницы: 72-83

Structural characterization of bulk (AlXGa1-X)2O3 crystals grown by the ózochralski method

  • Год: 2019
  • Том: 42
  • Выпуск: 6
  • 8
  • 751
  • Страницы: 797-801

Carbon-based nanostructure created by Ba and Cs atomic layer deposition on the vicinal 3C-SiC(111) surfaces

  • Год: 2017
  • Том: 32
  • Выпуск: 2
  • 6
  • 752
  • Страницы: 108-116

Material characterization of a β-Ga2O3 crystal

  • Год: 2016
  • Том: 27
  • Выпуск: 1
  • 1
  • 403
  • Страницы: 68-73

Сравнение характеристик диодов Шоттки на основе β-Ga2O3 и других широкозонных полупроводниковых материалов

  • Год: 2015
  • Том: 24
  • Выпуск: 2
  • 14
  • 517
  • Страницы: 194-200

The mechanism of formation of structural V-defects in polar and semipolar epitaxial GaN films synthesized on SiC/Si(111) and SiC/Si(100) heterostructures

  • Год: 2014
  • Том: 21
  • Выпуск: 3
  • 6
  • 486
  • Страницы: 266-274

Negative differential resistance in ferromagnet/wide-gap semiconductor/ferromagnet nanostructure

  • Год: 2014
  • Том: 20
  • Выпуск: 2
  • 3
  • 384
  • Страницы: 106-110

Action of Laser Radiation on Crystals of Gallium Arsenide

  • Год: 2012
  • Том: 13
  • Выпуск: 1
  • 1
  • 210
  • Страницы: 48-50

Изменение рассеянной мощности поверхностной акустической волны, распространяющейся по поверхности арсенида галлия в процессе осаждения пленок золота

  • Год: 2011
  • Том: 12
  • Выпуск: 2
  • 1
  • 389
  • Страницы: 174-185

Девиация скорости поверхностной акустической волны, распространяющейся по поверхности арсенида галлия в процессе осаждения золота

  • Год: 2011
  • Том: 12
  • Выпуск: 2
  • 1
  • 407
  • Страницы: 161-173

Bandgap Expansion of a Nanometric Semiconductor

  • Год: 2001
  • Том: 4
  • Выпуск: 2
  • 1
  • 370
  • Страницы: 129-133

Nanostructure of Metal/Semiconductor System by Synchrotron X-ray Scattering

  • Год: 2001
  • Том: 4
  • Выпуск: 1
  • 1
  • 400
  • Страницы: 25-28

Quantum Computing in Semiconductor Structures with 0.1 µm Separation of Nuclear-spin Qubits

  • Год: 2001
  • Том: 4
  • Выпуск: 1
  • 1
  • 415
  • Страницы: 5-7

Heteroepitaxial Growth of InAs on Si: the New Type of Quantum Dots

  • Год: 2000
  • Том: 1
  • Выпуск: 1
  • 3
  • 375
  • Страницы: 15-19