Статьи по ключевому слову "SEM"

Role of heat treatment on mechanical and wear characteristics of Al-TiC composites

  • Год: 2024
  • Том: 52
  • Выпуск: 1
  • 12
  • 157
  • Страницы: 108-117

The analysis of the etch pits parameters in the (-201) plane of the β-Ga2O3 substrate crystals

  • Год: 2023
  • Том: 51
  • Выпуск: 3
  • 16
  • 230
  • Страницы: 46-51

Study on microstructure, tensile, wear, and fracture behavior of A357 by modifying strontium (Sr) and calcium (Ca) content

  • Год: 2023
  • Том: 51
  • Выпуск: 2
  • 24
  • 566
  • Страницы: 128-139

Effect of Mechanical Properties of AL7075/Mica Powder Hybrid Metal Matrix Composite

  • Год: 2023
  • Том: 51
  • Выпуск: 1
  • 36
  • 534
  • Страницы: 142-150

Thin films of gallium oxide obtained by spray-pyrolysis: method and properties

  • Год: 2022
  • Том: 50
  • Выпуск: 1
  • 62
  • 725
  • Страницы: 107-117

Ab initio calculations of electronic band structure of ideal and defective CdMnS

  • Год: 2022
  • Том: 48
  • Выпуск: 3
  • 19
  • 612
  • Страницы: 419-427

Damped vibration analysis of lumped mass on bidirectionally graded beam rested on torsion spring hinges

  • Год: 2022
  • Том: 48
  • Выпуск: 1
  • 23
  • 567
  • Страницы: 114-123

Study of structural and optical properties of iron, cobalt doped and iron-cobalt co-doped tin dioxide SnO2

  • Год: 2022
  • Том: 48
  • Выпуск: 1
  • 24
  • 568
  • Страницы: 106-113

On physical properties of few-photon detectors based on structures with micropillars

  • Год: 2021
  • Том: 47
  • Выпуск: 6
  • 37
  • 1401
  • Страницы: 978-986

Study of mechanical properties of copper slag reinforced particulate polymer composite

  • Год: 2021
  • Том: 47
  • Выпуск: 6
  • 39
  • 771
  • Страницы: 896-904

Distribution of plastic deformation along the perimeter of circular specimen of thin-wall fuel-element cladding during its expansion

  • Год: 2021
  • Том: 47
  • Выпуск: 1
  • 30
  • 967
  • Страницы: 74-88

Growth of thick gallium oxide on the various substrates by halide vapor phase epitaxy

  • Год: 2020
  • Том: 44
  • Выпуск: 2
  • 57
  • 1560
  • Страницы: 164-171

Pair interaction of coaxial circular prismatic dislocation loops in elastic solids with spherical surfaces

  • Год: 2020
  • Том: 44
  • Выпуск: 1
  • 14
  • 1092
  • Страницы: 116-124

Numerical optimization of the cantilever piezoelectric generator

  • Год: 2020
  • Том: 44
  • Выпуск: 1
  • 23
  • 1227
  • Страницы: 94-102

КВАНТОВО-ХИМИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ КЛАСТЕРОВ НА ОСНОВЕ ВИСМУТА

  • Год: 2020
  • Том: 43
  • Выпуск: 1
  • 39
  • 1158
  • Страницы: 72-83

Structural characterization of bulk (AlXGa1-X)2O3 crystals grown by the ózochralski method

  • Год: 2019
  • Том: 42
  • Выпуск: 6
  • 10
  • 1385
  • Страницы: 797-801

Morphology investigation of nanoporous anodic alumina films with image analysis

  • Год: 2019
  • Том: 41
  • Выпуск: 1
  • 5
  • 914
  • Страницы: 74-77

Microstructure modelling of bottom ash reinforced aluminum metal matrix composite with stress relaxation

  • Год: 2018
  • Том: 37
  • Выпуск: 2
  • 8
  • 743
  • Страницы: 198-204

Plastic forming model for axisymmetric shells

  • Год: 2018
  • Том: 37
  • Выпуск: 2
  • 3
  • 840
  • Страницы: 176-183

Carbon-based nanostructure created by Ba and Cs atomic layer deposition on the vicinal 3C-SiC(111) surfaces

  • Год: 2017
  • Том: 32
  • Выпуск: 2
  • 6
  • 1340
  • Страницы: 108-116

Material characterization of a β-Ga2O3 crystal

  • Год: 2016
  • Том: 27
  • Выпуск: 1
  • 4
  • 850
  • Страницы: 68-73

Исследование микроструктуры композитов .медь-графен., полученных электрохимическим осаждением с использованием суспензий графена, стабилизированного неионными ПАВ

  • Год: 2015
  • Том: 24
  • Выпуск: 4
  • 3
  • 853
  • Страницы: 382-390

Сравнение характеристик диодов Шоттки на основе β-Ga2O3 и других широкозонных полупроводниковых материалов

  • Год: 2015
  • Том: 24
  • Выпуск: 2
  • 24
  • 1162
  • Страницы: 194-200

Неоднородность напряженно-деформированного состояния при интенсивной пластической деформации многократным выдавливанием

  • Год: 2015
  • Том: 22
  • Выпуск: 2
  • 7
  • 878
  • Страницы: 170-175

The mechanism of formation of structural V-defects in polar and semipolar epitaxial GaN films synthesized on SiC/Si(111) and SiC/Si(100) heterostructures

  • Год: 2014
  • Том: 21
  • Выпуск: 3
  • 8
  • 1027
  • Страницы: 266-274

Negative differential resistance in ferromagnet/wide-gap semiconductor/ferromagnet nanostructure

  • Год: 2014
  • Том: 20
  • Выпуск: 2
  • 3
  • 792
  • Страницы: 106-110

Synthesis, characterization and surface deformation study of nanocrystalline Ag2Se thin films

  • Год: 2013
  • Том: 17
  • Выпуск: 1
  • 5
  • 891
  • Страницы: 47-62

Fundamental solution for two-dimensional problem in orthotropic piezothermoelastic diffusion media

  • Год: 2013
  • Том: 16
  • Выпуск: 2
  • 5
  • 795
  • Страницы: 159-174

Synthesis, growth and characterization of novel semiorganic nonlinear optical Potassium Boro-Oxalate (KBO) single crystals

  • Год: 2013
  • Том: 16
  • Выпуск: 1
  • 1
  • 802
  • Страницы: 92-100

Investigations on the mechanical properties of red mud filled sisal and banana fiber reinforced polyester composites

  • Год: 2012
  • Том: 15
  • Выпуск: 2
  • 3
  • 733
  • Страницы: 173-179

A study of Green's functions for two-dimensional problem in orthotropic magnetothermoelastic media with mass diffusion

  • Год: 2012
  • Том: 15
  • Выпуск: 1
  • 1
  • 761
  • Страницы: 78-95

Action of Laser Radiation on Crystals of Gallium Arsenide

  • Год: 2012
  • Том: 13
  • Выпуск: 1
  • 1
  • 582
  • Страницы: 48-50

Изменение рассеянной мощности поверхностной акустической волны, распространяющейся по поверхности арсенида галлия в процессе осаждения пленок золота

  • Год: 2011
  • Том: 12
  • Выпуск: 2
  • 1
  • 866
  • Страницы: 174-185

Девиация скорости поверхностной акустической волны, распространяющейся по поверхности арсенида галлия в процессе осаждения золота

  • Год: 2011
  • Том: 12
  • Выпуск: 2
  • 2
  • 966
  • Страницы: 161-173

Bandgap Expansion of a Nanometric Semiconductor

  • Год: 2001
  • Том: 4
  • Выпуск: 2
  • 1
  • 814
  • Страницы: 129-133

Nanostructure of Metal/Semiconductor System by Synchrotron X-ray Scattering

  • Год: 2001
  • Том: 4
  • Выпуск: 1
  • 1
  • 846
  • Страницы: 25-28

Quantum Computing in Semiconductor Structures with 0.1 µm Separation of Nuclear-spin Qubits

  • Год: 2001
  • Том: 4
  • Выпуск: 1
  • 1
  • 863
  • Страницы: 5-7

Hot Wire CVD of Heterogeneous and Polycrystalline Silicon Semiconducting Thin Films for Applications in Thin Film Transistors and Solar Cells

  • Год: 2000
  • Том: 1
  • Выпуск: 2
  • 5
  • 926
  • Страницы: 73-82

Heteroepitaxial Growth of InAs on Si: the New Type of Quantum Dots

  • Год: 2000
  • Том: 1
  • Выпуск: 1
  • 3
  • 867
  • Страницы: 15-19