Статьи по ключевому слову "Silicon"
Meißner-Ochsenfeld effect in semiconductor nanostructures with negative-U shells
- Год: 2026
- Том: 54
- Выпуск: 1
- 29
- 482
- Страницы: 8-16
Optical detection of the quantum Hall effect in silicon nanostructures
- Год: 2026
- Том: 54
- Выпуск: 1
- 58
- 602
- Страницы: 1-7
Magnetism of the hybrid SiC/Si structure grown on silicon surface
- Год: 2025
- Том: 53
- Выпуск: 1
- 70
- 3717
- Страницы: 159-164
Field dependences of the magnetization of the hybrid SiC/Si structure grown by the vacancy method of coordinated substitution of atoms
- Год: 2024
- Том: 52
- Выпуск: 6
- 130
- 3496
- Страницы: 1-7
Formation and stability of β-Si3N4 and Si2N2O phases in composite materials during mechanochemical treatment of powder mixtures including silicon, Taunite-M and nitrogen-containing components
- Год: 2024
- Том: 52
- Выпуск: 2
- 41
- 2105
- Страницы: 56-63
Gas phase large-scale synthesis of Silicon carbide nanowires by industrial electron accelerator
- Год: 2023
- Том: 51
- Выпуск: 4
- 27
- 2051
- Страницы: 96-106
Spin transistor effect in edge channels of silicon nanosandwiches
- Год: 2023
- Том: 51
- Выпуск: 4
- 10
- 2036
- Страницы: 85-95
Macroscopic quantum effects of electromagnetic induction in silicon nanostructures
- Год: 2022
- Том: 50
- Выпуск: 2
- 14
- 2252
- Страницы: 252-265
Room-temperature quantum oscillations of static magnetic susceptibility of silicon-carbide epitaxial layers grown on a silicon substrate by the method of the coordinated substitution of atoms
- Год: 2022
- Том: 50
- Выпуск: 1
- 41
- 2766
- Страницы: 66-73
Terahertz emitters based on negative-U materials for medical applications
- Год: 2020
- Том: 44
- Выпуск: 2
- 26
- 3326
- Страницы: 264-270
Mechanism of molecule migration of carbon and silicon monoxides in silicon carbide crystal
- Год: 2019
- Том: 42
- Выпуск: 2
- 11
- 3324
- Страницы: 178-182
Formation of ordered ZnO structures grown by the ALD method on hybrid SiC/Si (100) substrates
- Год: 2019
- Том: 42
- Выпуск: 1
- 12
- 3405
- Страницы: 30-39
Geometry of GaAs nanowire seeds in SiOx/Si (111) templates
- Год: 2019
- Том: 42
- Выпуск: 1
- 12
- 2958
- Страницы: 14-19
Effect of anodic voltage on parameters of porous alumina formed in sulfuric acid electrolytes
- Год: 2019
- Том: 41
- Выпуск: 1
- 14
- 2971
- Страницы: 62-68
Mechanical impulse enhancement in a microsystem based on nanoporous silicon combustion
- Год: 2019
- Том: 41
- Выпуск: 1
- 8
- 2833
- Страницы: 8-14
Emission properties of an array of silicon nanocones
- Год: 2018
- Том: 39
- Выпуск: 1
- 4
- 2668
- Страницы: 75-80
Effect of PECVD conditions on mechanical stress of silicon films
- Год: 2018
- Том: 37
- Выпуск: 1
- 19
- 2831
- Страницы: 67-72
Growth of SiC films by the method of substitution of atoms on porous Si (100) and (111) substrates
- Год: 2018
- Том: 36
- Выпуск: 1
- 51
- 4073
- Страницы: 39-52
Nucleation and growth mechanisms of CdTe thin films on silicon substrates with silicon carbide buffer layers
- Год: 2017
- Том: 32
- Выпуск: 3
- 6
- 2967
- Страницы: 262-271
Study of antireflection coatings for high speed 1.3 -1.55 µm InGaAs/InP PIN photodetector
- Год: 2017
- Том: 32
- Выпуск: 2
- 25
- 3218
- Страницы: 194-197
Carbon-based nanostructure created by Ba and Cs atomic layer deposition on the vicinal 3C-SiC(111) surfaces
- Год: 2017
- Том: 32
- Выпуск: 2
- 8
- 3557
- Страницы: 108-116
Formation mechanisms and the orientation of self-polarization in PZT polycristalline thin films
- Год: 2017
- Том: 30
- Выпуск: 1
- 17
- 3024
- Страницы: 20-34
Photoemission study of nano SiC epitaxial layers synthesized by a new method of the atom substitution in Si crystal lattice
- Год: 2015
- Том: 22
- Выпуск: 2
- 9
- 2855
- Страницы: 183-190
Толстые эпитаксиальные слои нитрида галлия на кремниевой подложке
- Год: 2015
- Том: 22
- Выпуск: 1
- 7
- 2726
- Страницы: 53-58
Thermal analysis of phosphor containing silicone layer in high power LEDs
- Год: 2014
- Том: 21
- Выпуск: 3
- 3
- 2821
- Страницы: 283-287
The mechanism of formation of structural V-defects in polar and semipolar epitaxial GaN films synthesized on SiC/Si(111) and SiC/Si(100) heterostructures
- Год: 2014
- Том: 21
- Выпуск: 3
- 9
- 2973
- Страницы: 266-274
On the Nature of Layer Substructure of Doped Silicon Films
- Год: 2004
- Том: 7
- Выпуск: 1
- 2
- 2431
- Страницы: 67-71
Nanostructured Layers in High Temperature - Pressure Treated Silicon Implanted with Hydrogen / Helium
- Год: 2002
- Том: 5
- Выпуск: 1
- 3
- 2453
- Страницы: 31-38
Synthesis of Porous Silicon Nanostructures for Photoluminescent Devices
- Год: 2001
- Том: 4
- Выпуск: 2
- 3
- 2703
- Страницы: 143-147
Photoluminescence from SiC Nanocrystals Embedded in SiO2
- Год: 2001
- Том: 4
- Выпуск: 2
- 6
- 2692
- Страницы: 85-88
Applicability of Alkyl Monolayers on Si(111) Towards Practical Nano-scale Fabrication
- Год: 2001
- Том: 4
- Выпуск: 1
- 2
- 2513
- Страницы: 67-70
High Pressure - High Temperature Treatment to Create Oxygen Nano-Clusters and Defects in Single Crystalline Silicon
- Год: 2000
- Том: 1
- Выпуск: 2
- 3
- 2628
- Страницы: 119-126
Hot Wire CVD of Heterogeneous and Polycrystalline Silicon Semiconducting Thin Films for Applications in Thin Film Transistors and Solar Cells
- Год: 2000
- Том: 1
- Выпуск: 2
- 11
- 3172
- Страницы: 73-82