Статьи по ключевому слову "Silicon"

Terahertz emitters based on negative-U materials for medical applications

  • Год: 2020
  • Том: 44
  • Выпуск: 2
  • 23
  • 509
  • Страницы: 264-270

Mechanism of molecule migration of carbon and silicon monoxides in silicon carbide crystal

  • Год: 2019
  • Том: 42
  • Выпуск: 2
  • 7
  • 580
  • Страницы: 178-182

Formation of ordered ZnO structures grown by the ALD method on hybrid SiC/Si (100) substrates

  • Год: 2019
  • Том: 42
  • Выпуск: 1
  • 2
  • 595
  • Страницы: 30-39

Geometry of GaAs nanowire seeds in SiOx/Si (111) templates

  • Год: 2019
  • Том: 42
  • Выпуск: 1
  • 6
  • 510
  • Страницы: 14-19

Effect of anodic voltage on parameters of porous alumina formed in sulfuric acid electrolytes

  • Год: 2019
  • Том: 41
  • Выпуск: 1
  • 5
  • 525
  • Страницы: 62-68

Mechanical impulse enhancement in a microsystem based on nanoporous silicon combustion

  • Год: 2019
  • Том: 41
  • Выпуск: 1
  • 4
  • 477
  • Страницы: 8-14

Emission properties of an array of silicon nanocones

  • Год: 2018
  • Том: 39
  • Выпуск: 1
  • 2
  • 427
  • Страницы: 75-80

Effect of PECVD conditions on mechanical stress of silicon films

  • Год: 2018
  • Том: 37
  • Выпуск: 1
  • 7
  • 457
  • Страницы: 67-72

Growth of SiC films by the method of substitution of atoms on porous Si (100) and (111) substrates

  • Год: 2018
  • Том: 36
  • Выпуск: 1
  • 22
  • 637
  • Страницы: 39-52

Nucleation and growth mechanisms of CdTe thin films on silicon substrates with silicon carbide buffer layers

  • Год: 2017
  • Том: 32
  • Выпуск: 3
  • 2
  • 462
  • Страницы: 262-271

Study of antireflection coatings for high speed 1.3 -1.55 µm InGaAs/InP PIN photodetector

  • Год: 2017
  • Том: 32
  • Выпуск: 2
  • 8
  • 507
  • Страницы: 194-197

Carbon-based nanostructure created by Ba and Cs atomic layer deposition on the vicinal 3C-SiC(111) surfaces

  • Год: 2017
  • Том: 32
  • Выпуск: 2
  • 6
  • 758
  • Страницы: 108-116

Formation mechanisms and the orientation of self-polarization in PZT polycristalline thin films

  • Год: 2017
  • Том: 30
  • Выпуск: 1
  • 2
  • 480
  • Страницы: 20-34

Photoemission study of nano SiC epitaxial layers synthesized by a new method of the atom substitution in Si crystal lattice

  • Год: 2015
  • Том: 22
  • Выпуск: 2
  • 5
  • 486
  • Страницы: 183-190

Толстые эпитаксиальные слои нитрида галлия на кремниевой подложке

  • Год: 2015
  • Том: 22
  • Выпуск: 1
  • 5
  • 425
  • Страницы: 53-58

Thermal analysis of phosphor containing silicone layer in high power LEDs

  • Год: 2014
  • Том: 21
  • Выпуск: 3
  • 2
  • 443
  • Страницы: 283-287

The mechanism of formation of structural V-defects in polar and semipolar epitaxial GaN films synthesized on SiC/Si(111) and SiC/Si(100) heterostructures

  • Год: 2014
  • Том: 21
  • Выпуск: 3
  • 6
  • 491
  • Страницы: 266-274

On the Nature of Layer Substructure of Doped Silicon Films

  • Год: 2004
  • Том: 7
  • Выпуск: 1
  • 1
  • 359
  • Страницы: 67-71

Nanostructured Layers in High Temperature - Pressure Treated Silicon Implanted with Hydrogen / Helium

  • Год: 2002
  • Том: 5
  • Выпуск: 1
  • 1
  • 394
  • Страницы: 31-38

Synthesis of Porous Silicon Nanostructures for Photoluminescent Devices

  • Год: 2001
  • Том: 4
  • Выпуск: 2
  • 2
  • 430
  • Страницы: 143-147

Photoluminescence from SiC Nanocrystals Embedded in SiO2

  • Год: 2001
  • Том: 4
  • Выпуск: 2
  • 2
  • 407
  • Страницы: 85-88

Applicability of Alkyl Monolayers on Si(111) Towards Practical Nano-scale Fabrication

  • Год: 2001
  • Том: 4
  • Выпуск: 1
  • 1
  • 393
  • Страницы: 67-70

On the Photoluminescence of Si Nanoparticles

  • Год: 2001
  • Том: 4
  • Выпуск: 1
  • 1
  • 371
  • Страницы: 62-66

High Pressure - High Temperature Treatment to Create Oxygen Nano-Clusters and Defects in Single Crystalline Silicon

  • Год: 2000
  • Том: 1
  • Выпуск: 2
  • 1
  • 431
  • Страницы: 119-126

Hot Wire CVD of Heterogeneous and Polycrystalline Silicon Semiconducting Thin Films for Applications in Thin Film Transistors and Solar Cells

  • Год: 2000
  • Том: 1
  • Выпуск: 2
  • 2
  • 422
  • Страницы: 73-82