Статьи по ключевому слову "epitaxy"
Effect of Si+ ion irradiation of α-Ga2O3 epitaxial layers on their hydrogen sensitivity
- Год: 2022
- Том: 48
- Выпуск: 3
- 84
- 1059
- Страницы: 301-307
Growth of thick gallium oxide on the various substrates by halide vapor phase epitaxy
- Год: 2020
- Том: 44
- Выпуск: 2
- 62
- 1943
- Страницы: 164-171
On cracking in thick GaN layers grown on sapphire substrates
- Год: 2020
- Том: 44
- Выпуск: 1
- 25
- 1592
- Страницы: 1-7
Mechanism of molecule migration of carbon and silicon monoxides in silicon carbide crystal
- Год: 2019
- Том: 42
- Выпуск: 2
- 8
- 1547
- Страницы: 178-182
Formation of ordered ZnO structures grown by the ALD method on hybrid SiC/Si (100) substrates
- Год: 2019
- Том: 42
- Выпуск: 1
- 7
- 1542
- Страницы: 30-39
Growth of SiC films by the method of substitution of atoms on porous Si (100) and (111) substrates
- Год: 2018
- Том: 36
- Выпуск: 1
- 39
- 1770
- Страницы: 39-52
Defects in thin epitaxial layers of (AlхGa1-х)2O3 grown on Al2O3 substrates
- Год: 2017
- Том: 32
- Выпуск: 2
- 8
- 1440
- Страницы: 178-185
Carbon-based nanostructure created by Ba and Cs atomic layer deposition on the vicinal 3C-SiC(111) surfaces
- Год: 2017
- Том: 32
- Выпуск: 2
- 6
- 1687
- Страницы: 108-116
Photoluminescence of Hg0.5Cd0.5Te structures grown with molecular-beam epitaxy
- Год: 2017
- Том: 32
- Выпуск: 1
- 5
- 1272
- Страницы: 88-93
Оптические свойства толстых слоев нитрида галлия, выращенных хлорид-гидридной эпитаксией на структурированных подложках
- Год: 2016
- Том: 29
- Выпуск: 1
- 8
- 1371
- Страницы: 24-31
Molecular beam epitaxy grown strained heterostructures for active region of laser diode with emission wavelength 1520-1580 nm
- Год: 2015
- Том: 24
- Выпуск: 3
- 5
- 1109
- Страницы: 284-288
Светоизлучающие р-n структуры, выращенные хлорид-гидридной эпитаксией на структурированных подложках GaN/Al2O3
- Год: 2015
- Том: 22
- Выпуск: 1
- 2
- 1342
- Страницы: 30-38
Semipolar GaN on Si(001): the role of SiC buffer layer synthesized by method of substrate atom substitution
- Год: 2014
- Том: 21
- Выпуск: 1
- 5
- 1136
- Страницы: 71-77
"Solution Heteroepitaxy" in the Formation of Epitaxial Films of II-VI Compounds under Highly Nonequilibrium Conditions
- Год: 2003
- Том: 6
- Выпуск: 1
- 1
- 887
- Страницы: 58-62
Heteroepitaxy of Gallium Nitride Layers: the Role of Initial Stages in Film Formation
- Год: 2003
- Том: 6
- Выпуск: 1
- 6
- 1173
- Страницы: 1-12
Kinetic Pathways of the Growth Mode Transition during Ge/Si(001) Heteroepitaxy
- Год: 2001
- Том: 4
- Выпуск: 2
- 2
- 1012
- Страницы: 94-100