Статьи по ключевому слову "epitaxy"

Effect of Si+ ion irradiation of α-Ga2O3 epitaxial layers on their hydrogen sensitivity

  • Год: 2022
  • Том: 48
  • Выпуск: 3
  • 62
  • 440
  • Страницы: 301-307

Growth of thick gallium oxide on the various substrates by halide vapor phase epitaxy

  • Год: 2020
  • Том: 44
  • Выпуск: 2
  • 41
  • 1098
  • Страницы: 164-171

On cracking in thick GaN layers grown on sapphire substrates

  • Год: 2020
  • Том: 44
  • Выпуск: 1
  • 17
  • 865
  • Страницы: 1-7

Mechanism of molecule migration of carbon and silicon monoxides in silicon carbide crystal

  • Год: 2019
  • Том: 42
  • Выпуск: 2
  • 8
  • 811
  • Страницы: 178-182

Formation of ordered ZnO structures grown by the ALD method on hybrid SiC/Si (100) substrates

  • Год: 2019
  • Том: 42
  • Выпуск: 1
  • 4
  • 815
  • Страницы: 30-39

Growth of SiC films by the method of substitution of atoms on porous Si (100) and (111) substrates

  • Год: 2018
  • Том: 36
  • Выпуск: 1
  • 23
  • 877
  • Страницы: 39-52

Defects in thin epitaxial layers of (AlхGa1-х)2O3 grown on Al2O3 substrates

  • Год: 2017
  • Том: 32
  • Выпуск: 2
  • 8
  • 756
  • Страницы: 178-185

Carbon-based nanostructure created by Ba and Cs atomic layer deposition on the vicinal 3C-SiC(111) surfaces

  • Год: 2017
  • Том: 32
  • Выпуск: 2
  • 6
  • 979
  • Страницы: 108-116

Photoluminescence of Hg0.5Cd0.5Te structures grown with molecular-beam epitaxy

  • Год: 2017
  • Том: 32
  • Выпуск: 1
  • 3
  • 675
  • Страницы: 88-93

Оптические свойства толстых слоев нитрида галлия, выращенных хлорид-гидридной эпитаксией на структурированных подложках

  • Год: 2016
  • Том: 29
  • Выпуск: 1
  • 3
  • 727
  • Страницы: 24-31

Molecular beam epitaxy grown strained heterostructures for active region of laser diode with emission wavelength 1520-1580 nm

  • Год: 2015
  • Том: 24
  • Выпуск: 3
  • 2
  • 579
  • Страницы: 284-288

Светоизлучающие р-n структуры, выращенные хлорид-гидридной эпитаксией на структурированных подложках GaN/Al2O3

  • Год: 2015
  • Том: 22
  • Выпуск: 1
  • 2
  • 695
  • Страницы: 30-38

Semipolar GaN on Si(001): the role of SiC buffer layer synthesized by method of substrate atom substitution

  • Год: 2014
  • Том: 21
  • Выпуск: 1
  • 4
  • 577
  • Страницы: 71-77

"Solution Heteroepitaxy" in the Formation of Epitaxial Films of II-VI Compounds under Highly Nonequilibrium Conditions

  • Год: 2003
  • Том: 6
  • Выпуск: 1
  • 1
  • 444
  • Страницы: 58-62

Heteroepitaxy of Gallium Nitride Layers: the Role of Initial Stages in Film Formation

  • Год: 2003
  • Том: 6
  • Выпуск: 1
  • 3
  • 628
  • Страницы: 1-12

Kinetic Pathways of the Growth Mode Transition during Ge/Si(001) Heteroepitaxy

  • Год: 2001
  • Том: 4
  • Выпуск: 2
  • 1
  • 525
  • Страницы: 94-100