Статьи по ключевому слову "silicon"
Magnetism of the hybrid SiC/Si structure grown on silicon surface
Romanov V.V.
Rul' N.I.
Gasumyants V.E.
Venevtsev I.D.
K.B. Taranets
Korolev A.V.
Кукушкин С.А.
А.В. Осипов
Bagraev N.T.
- Год: 2025
- Том: 53
- Выпуск: 1
- 58
- 2564
- Страницы: 159-164
Field dependences of the magnetization of the hybrid SiC/Si structure grown by the vacancy method of coordinated substitution of atoms
- Год: 2024
- Том: 52
- Выпуск: 6
- 125
- 2671
- Страницы: 1-7
Gas phase large-scale synthesis of Silicon carbide nanowires by industrial electron accelerator
- Год: 2023
- Том: 51
- Выпуск: 4
- 25
- 1272
- Страницы: 96-106
Spin transistor effect in edge channels of silicon nanosandwiches
- Год: 2023
- Том: 51
- Выпуск: 4
- 10
- 1177
- Страницы: 85-95
Macroscopic quantum effects of electromagnetic induction in silicon nanostructures
- Год: 2022
- Том: 50
- Выпуск: 2
- 13
- 1439
- Страницы: 252-265
Room-temperature quantum oscillations of static magnetic susceptibility of silicon-carbide epitaxial layers grown on a silicon substrate by the method of the coordinated substitution of atoms
- Год: 2022
- Том: 50
- Выпуск: 1
- 41
- 1878
- Страницы: 66-73
Terahertz emitters based on negative-U materials for medical applications
Bagraev N.T.
P.A.Golovin
V.S. Khromov
Klyachkin L.E.
Malyarenko A.M.
V.A. Mashkov
B.A. Novikov
A.P. Presnukhina
A.S. Reukov
K.B. Taranets
- Год: 2020
- Том: 44
- Выпуск: 2
- 26
- 2347
- Страницы: 264-270
Mechanism of molecule migration of carbon and silicon monoxides in silicon carbide crystal
- Год: 2019
- Том: 42
- Выпуск: 2
- 11
- 2402
- Страницы: 178-182
Formation of ordered ZnO structures grown by the ALD method on hybrid SiC/Si (100) substrates
- Год: 2019
- Том: 42
- Выпуск: 1
- 11
- 2485
- Страницы: 30-39
Geometry of GaAs nanowire seeds in SiOx/Si (111) templates
- Год: 2019
- Том: 42
- Выпуск: 1
- 10
- 2088
- Страницы: 14-19
Effect of anodic voltage on parameters of porous alumina formed in sulfuric acid electrolytes
X. Huang
W. Su
L. Sun
J. Liu
D.A. Sasinovich
O.V. Kupreeva
D.A. Tsirkunov
G.G. Rabatuev
S.K. Lazarouk
- Год: 2019
- Том: 41
- Выпуск: 1
- 14
- 2078
- Страницы: 62-68
Mechanical impulse enhancement in a microsystem based on nanoporous silicon combustion
- Год: 2019
- Том: 41
- Выпуск: 1
- 8
- 2022
- Страницы: 8-14
Emission properties of an array of silicon nanocones
- Год: 2018
- Том: 39
- Выпуск: 1
- 4
- 1875
- Страницы: 75-80
Effect of PECVD conditions on mechanical stress of silicon films
- Год: 2018
- Том: 37
- Выпуск: 1
- 19
- 1975
- Страницы: 67-72
Growth of SiC films by the method of substitution of atoms on porous Si (100) and (111) substrates
V.V. Kidalov
Кукушкин С.А.
А.В. Осипов
A.V. Redkov
А.С. Гращенко
I.P. Soshnikov
M.E. Boiko
M.D. Sharkov
A.F. Dyadenchuk
- Год: 2018
- Том: 36
- Выпуск: 1
- 48
- 2966
- Страницы: 39-52
Nucleation and growth mechanisms of CdTe thin films on silicon substrates with silicon carbide buffer layers
- Год: 2017
- Том: 32
- Выпуск: 3
- 3
- 2140
- Страницы: 262-271
Study of antireflection coatings for high speed 1.3 -1.55 µm InGaAs/InP PIN photodetector
Е.С. Колодезный
I.I. Novikov
A.G. Gladyshev
S.S. Rochas
K.D. Sharipo
L.Ya. Karachinsky
A.Yu. Egorov
В.Е. Бугров
- Год: 2017
- Том: 32
- Выпуск: 2
- 21
- 2328
- Страницы: 194-197
Carbon-based nanostructure created by Ba and Cs atomic layer deposition on the vicinal 3C-SiC(111) surfaces
- Год: 2017
- Том: 32
- Выпуск: 2
- 7
- 2658
- Страницы: 108-116
Formation mechanisms and the orientation of self-polarization in PZT polycristalline thin films
I.P. Pronin
Кукушкин С.А.
V.V. Spirin
S.V. Senkevich
E.Yu. Kaptelov
D.M. Dolgintsev
V.P. Pronin
D.A. Kiselev
O.N. Sergeeva
- Год: 2017
- Том: 30
- Выпуск: 1
- 14
- 2220
- Страницы: 20-34
Photoemission study of nano SiC epitaxial layers synthesized by a new method of the atom substitution in Si crystal lattice
G.V. Benemanskaya
P.A. Dementev
Кукушкин С.А.
M.N. Lapushkin
А.В. Осипов
B. Senkovskiy
S.N. Timoshnev
- Год: 2015
- Том: 22
- Выпуск: 2
- 9
- 2040
- Страницы: 183-190
Толстые эпитаксиальные слои нитрида галлия на кремниевой подложке
Ш.Ш. Шарофидинов
А.А. Головатенко
И.П. Никитина
Н.В. Середова
М.Г. Мынбаева
В.Е. Бугров
М.А. Одноблюдов
С.И. Степанов
В.И Николаев
- Год: 2015
- Том: 22
- Выпуск: 1
- 7
- 1979
- Страницы: 53-58
Thermal analysis of phosphor containing silicone layer in high power LEDs
- Год: 2014
- Том: 21
- Выпуск: 3
- 3
- 2021
- Страницы: 283-287
The mechanism of formation of structural V-defects in polar and semipolar epitaxial GaN films synthesized on SiC/Si(111) and SiC/Si(100) heterostructures
- Год: 2014
- Том: 21
- Выпуск: 3
- 9
- 2154
- Страницы: 266-274
On the Nature of Layer Substructure of Doped Silicon Films
- Год: 2004
- Том: 7
- Выпуск: 1
- 2
- 1717
- Страницы: 67-71
Nanostructured Layers in High Temperature - Pressure Treated Silicon Implanted with Hydrogen / Helium
- Год: 2002
- Том: 5
- Выпуск: 1
- 3
- 1718
- Страницы: 31-38
Synthesis of Porous Silicon Nanostructures for Photoluminescent Devices
- Год: 2001
- Том: 4
- Выпуск: 2
- 3
- 1960
- Страницы: 143-147
Photoluminescence from SiC Nanocrystals Embedded in SiO2
- Год: 2001
- Том: 4
- Выпуск: 2
- 6
- 1952
- Страницы: 85-88
Applicability of Alkyl Monolayers on Si(111) Towards Practical Nano-scale Fabrication
- Год: 2001
- Том: 4
- Выпуск: 1
- 2
- 1763
- Страницы: 67-70
High Pressure - High Temperature Treatment to Create Oxygen Nano-Clusters and Defects in Single Crystalline Silicon
- Год: 2000
- Том: 1
- Выпуск: 2
- 3
- 1854
- Страницы: 119-126
Hot Wire CVD of Heterogeneous and Polycrystalline Silicon Semiconducting Thin Films for Applications in Thin Film Transistors and Solar Cells
- Год: 2000
- Том: 1
- Выпуск: 2
- 7
- 2243
- Страницы: 73-82